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“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会召开
第三代半导体紫外探测材料 器件 III族氮化物 以碳化硅 宽禁带半导体
2016/10/31
2016年10月30日，国家重点研发计划项目“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”启动会在南京大学鼓楼校区召开，科技部高技术中心材料处史冬梅处长，南京大学潘毅副校长、郑有炓院士，西安电子科技大学郝跃院士，中国科学院长春光机所王立军院士，以及有关专家和项目参与人员共计40余人与会。会议由项目负责人、南京大学教授陆海主持。