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本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法，该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成，本发明利用单色仪输出均匀的单色光，并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮，再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管，平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上，根据...
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，...
本申请实施例公开了一种电离辐射总剂量和电磁辐射协和效应测试方法及平台，该方法包括：获取累积了不同电离辐射总剂量的模数转化器ADC芯片样本组；对累积了不同电离辐射总剂量的ADC芯片样本组进行电磁辐射试验，以获取所述ADC芯片样本组中的每个ADC芯片样本出现电磁辐射协和效应的阈值数据；根据获取的所述阈值数据拟合ADC芯片的电离电磁辐射协和效应阈值随电离辐射总剂量的累积而产生的变化趋势。通过该实施例方案...