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中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
2023年3月17日，科技部高技术研究发展中心（基础研究管理中心）发布2022年度中国科学十大进展。中国科学十大进展遴选活动由科技部高技术研究发展中心牵头举办，其遴选程序分为推荐、初选和终选3个环节。终选阶段，中国科学院院士、中国工程院院士、国家重点实验室主任等3500余位知名专家学者对30项候选科学进展进行网上投票，最终，得票数排名前10位的入选。中科院上海微系统所宋志棠、朱敏团队的“新原理开关...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队与中国科学技术大学董春华团队、华东师范大学程亚团队以及深圳国际量子研究院刘骏秋团队合作，在硅基绝缘体上碳化硅（SiCOI）平台的微腔孤子光频梳方面取得了重要进展。研究团队在利用异质集成技术制备高Q值SiC光子微腔的基础上，采用双光束泵浦方式首次在室温下实现了SiC光学频率梳的锁模。同时，通过SiC本征的二阶非线性特性，实现了光频梳从红外到可见波段的...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所等研制出小尺寸、高消光比的低功耗硅光开关（图）
硅光开关 消光比 硅光集成
2022/4/26
硅光集成是指利用CMOS工艺平台，将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上，通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件，其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。
吴亮，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师。长期致力于毫米波/亚毫米波/太赫兹固态集成电路与微系统技术研究。作为项目负责人承担中国科学院预研项目等。近5年来，著有《毫米波集成电路极其应用》一书，电子工业出版社2012年1月出版，近5年内发表期刊论文5篇，会议论文11篇，均被SCI/EI收录，多篇发表于微波业内顶级杂志和会议，授权发明专利3项。
孙浩，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员。主要研究领域为毫米波太赫兹固体电子学器件与电路，目前已完成或正承担国家973项目、国家自然科学基金项目、中科院、上海市科委项目等相关研究课题多项。
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒研究员、王镇研究员提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件，并发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系，可以从原理上突破超导存储器的集成度瓶颈。研究结果以题为“Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-Dimensional Nb Nano-Superc...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制自主可控的AIGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 自主可控 AIGaAs PIN 异质结 毫米波 单片开关芯片
2020/7/23
上海微系统所孙晓玮研究员团队联合杭州芯影科技有限公司、福联集成电路有限公司研制成功自主可控的AlGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片，实现了国外同类产品的一对一替代。单刀双掷（SPDT）、单刀四掷（SP4T）的芯片，各项指标达到或各别指标优于国外同类芯片指标。特别是国内首次研制成功了自带偏置的同类型开关芯片。毫米波PIN开关具有切换时间短、隔离度高、插损小等特点，在毫米波成像仪、宽带开关阵列...
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离与转移技术，将LiNbO3单晶薄膜与高声速、高导热的支撑衬底异质集成（如图1所示），与美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校合作，研制出高性能声表面波（SAW）器件。声表面波谐振器的谐振频率约1.95 GHz，导纳比高达80.1 dB，机电耦合系数高达27.8%，Q值接近2000，谐振器的综合性能品质优值（FoM）高达530，为已报道的最高值 （如图...
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在高迁移率的石墨烯单晶晶圆研究方面取得进展，相关工作以“Wafer-scale growth of single-crystal graphene on vicinal Ge(001) substrate”为题发表在Nano Today期刊上(Nano Today 2020, 34, 100908)。
为了实现钆基造影剂弛豫率的突破，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室董慧课题组、丁古巧课题组提出借助石墨烯量子点的表面局域超强酸微环境实现钆基造影剂弛豫率的突破。实验及理论计算结果表明，石墨烯量子点表面局域超强酸微环境能显著提高造影剂磁性中心附近的水交换速率，进而提高造影剂的弛豫率。在商用高场磁共振系统（7 T）下该造影剂弛豫率为127.0 mM-1 s-1，高于已有报道...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度（750℃）条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。研究论文于4月4日在Small上在线发表(X.F. Zhang, et al, Epitaxial Growth of 6 in. Single-Crystalline Graphe...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员丁古巧课题组与深圳大学电子科学与技术学院副教授韩素婷、深圳大学高等研究院研究员周晔合作，利用新型碳基二维半导体材料C3N实现了可调突触行为的人工突触模拟忆阻器。该器件可以实现电阻值随着连续的电压扫描而逐渐变化的典型的忆阻行为。近常压X射线光电子能谱证实C3N薄膜中的质子传导过程实现了器件的忆阻特性。C3N中大量的晶格N原子使其成为高质量的质子接受材料。与此...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所2019年博士招生目录。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所2019年硕士招生目录。