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中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
德州仪器将在美国犹他州李海建造第二座12英寸晶圆制造厂
半导体晶圆 销售模拟 嵌入式处理芯片
2023/3/17
日前，德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码：TXN)宣布计划在美国犹他州李海(Lehi)建造第二座12英寸半导体晶圆制造厂。该工厂紧邻德州仪器位于该地区的现有12英寸晶圆制造厂LFAB，建成后，这两个工厂将合为一个晶圆制造厂进行运营。
据《科创板日报》消息，英飞凌宣布，将在德国德累斯顿开始建设模拟/混合信号技术和功率半导体新厂，德国联邦经济事务和气候行动部(BMWK)已批准提前启动这一项目。目前，公司仍在等待欧盟委员会确认10亿欧元补贴，在欧盟委员会完成法律补贴方面的检查工作之前，英飞凌就可以开始建设新厂。
全球第三大晶圆代工厂设立半导体设备学院
晶圆代工厂 半导体设备学院 半导体
2022/10/11
近日，为应对半导体设备人力供需失衡挑战，晶圆代工厂商联电在中国台湾南科晶圆12A厂P5厂区设立的半导体设备学院正式开幕。机台设备是半导体生产的基石，联电共同总经理简山杰表示，随着公司持续扩产、新机台进驻，对半导体设备工程师的需求日益增加。联电表示，预计1年内完成600位设备工程师培训，并自2023年推广至联电境内外其他厂区。
中国科学院物理研究所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用（图）
多层MoS2 外延晶圆 二维半导体
2022/6/16
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室研究员张广宇课题组国际上最早发展了蓝宝石上高定向外延晶圆...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展。5月23日，相关研究成果以Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes ...
2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》及时对成果进行了跟踪报道，受到国内外业界的关注。
2020年6月22日，中科院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所旗下长春光华微电子设备工程中心有限公司（光华微电子）宣布研制成功国内首台商用12英寸全自动晶圆探针台。
光华微电子公司是中国科学院长春光学精密机械与物理研究所机电工程研究部于2002年转制而成立的一家高科技股份有限公司，近20年来专注于被动电子元件和微电子设备的研发、生产，其主要产品分布在晶片电阻生产设备、半导体生产设备、激光精细...
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。
2019年2月4日，清华大学微纳电子学系任天令教授团队在《美国化学学会纳米》 （ACS Nano）在线发表了题为《超低亚阈值摆幅，超高开关比双模式二硫化钼导电细丝晶体管》（“Two-Mode MoS2 Filament Transistor with Extremely Low Subthreshold Swing and Record High On/Off Ratio”）的研究论文，首次在埋栅...
近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第十二章 芯片工程与多项目晶圆MPW加工服务。