搜索结果: 1-4 共查到“电子科学与技术 纳米带”相关记录4条 . 查询时间(0.179 秒)
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
上海微系统所等实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
上海微系统所 六方氮化硼 光电子学器件
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
中国科学院物理研究所观测到锯齿形石墨烯纳米带边缘导电（图）
中国科学院物理研究所 锯齿形 石墨烯纳米 带边缘导电
2018/5/31
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室N07课题组研究员张广宇的博士生吴霜、沈成等针对锯齿形边缘石墨烯纳米带开展了磁输运测量研究。利用课题组前期发展的氢等离子体各向异性刻蚀辅助的石墨烯纳米结构加工技术【Adv. Mater. 22, 4014 (2010); Adv. Mater. 23, 3061 (2011); Appl. Phys. Lett. 109...
