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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点，承接多项国家重点研发计划，在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料，波长<280nm的深紫外LED，输出光功率超过110mW，开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组，推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
2020/12/31
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制，针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求，突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术，实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障，为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。
2020年11月3日，何梁何利基金2020年度颁奖大会在京举行。2020年度共有52位科学家获奖，其中，钟南山院士和樊锦诗研究员获科学与技术成就奖，30位科学家获科学与技术进步奖，20位科学家获科学与技术创新奖。半导体所李晋闽研究员荣获 “2020年度何梁何利基金科学与技术创新奖”。
六秩春秋创伟业，砥砺奋进谱华章；共聚一堂忆峥嵘，继往开来铸辉煌。为纪念中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”）建所60周年，加强半导体学科领域的学术交流，学习老一辈科学家创新科技、报国为民的科学精神，9月4日半导体所在所学术会议中心召开了以“薪火相传 再铸辉煌”为主题的纪念建所60周年学术研讨会。中国科学院微电子所吴德馨院士、刘明院士，清华大学朱邦芬院士，中国科学院物理所方忠院士，中国科学院...
自旋轨道矩（spin-orbit torque, 以下简称SOT）是近年来发展起来的新一代电流驱动磁化翻转技术，具有信息写入速度快、功耗低、耐久度高、稳定性好等独特优势，是未来非易失性存储器的理想选择方案之一。通常，非磁/铁磁双层膜结构中由SOT所产生的有效磁场指向面内方向，因此对于垂直磁化的铁磁层而言，需要引入外加磁场等额外的对称性破缺才能实现定向的磁化翻转。如何通过原理创新，突破零磁场下SOT...
中国科学院半导体研究所牵头的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目荣获2019年国家科学技术进步奖一等奖（图）
中国科学院半导体研究所 高光效 长寿命 半导体 照明关键技术 产业化 2019年 国家科学技术进步奖 一等奖
2020/1/10
2020年1月10日上午，中共中央、国务院在北京隆重举行2019年度国家科学技术奖励大会。习近平、李克强、王沪宁、韩正等党和国家领导人出席大会并为获奖代表颁奖。半导体所牵头的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目荣获2019年国家科技进步奖一等奖。
中国科学院半导体研究所2019年第二届半导体青年论坛成功举办（图）
半导体光电材料与器件 微电子器件
2019/12/25
2019年12月21日上午，半导体所在学术会议中心举办了2019年第二届半导体青年论坛。本次论坛旨在为国内外半导体科学技术领域的青年学者提供一个交流、合作、创新的平台，由中国科学院半导体研究所青年创新促进会主办。
面向集成电路学术前沿和国家重大战略需求，开展射频集成电路与系统创新性研究，同时发展相关联的高性能数字及数模混合信号电路与系统，进行集成电路设计高层次人才培养，通过产学研结合方式促进科研成果的转化和产业化，从而使实验室实现可持续发展。
最近，中科院半导体所超晶格国家重点实验室沈国震研究员课题组成功研制出一种柔性透明的高性能湿度传感器，该传感器基于MoO3纳米片，采用低成本、简便的溶液方法合成。所制备的湿度传感器对外部相对湿度(RH)表现出出色的灵敏度，RH从0％变为100％时电流变化了5个数量级。此外传感器具有快速响应(<0.3 s)和恢复时间(<0.5 s)，还表现出长期稳定性(> 1个月)，并且具有很好的机械灵活性。同时，研...
最近，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外LED器件表现出了...
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。
中国科学院半导体研究所在隐藏自旋轨道耦合研究中取得进展（图）
中国科学院半导体研究所 自旋轨道 耦合研究
2019/2/25
在国家自然科学基金（项目编号：61888102）等资助下，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室骆军委研究组与科罗拉多大学Alex Zunger教授、南方科技大学刘奇航教授、深圳大学张秀文教授合作在隐藏自旋轨道耦合研究中取得重要进展。研究成果以“Uncovering and tailoring hidden Rashba spin–orbit splitting in centrosym...
半导体超晶格国家重点实验室(The State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures)1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员，实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要...
根据国家、中国科学院和半导体所的发展战略需要，2002年开始筹建综合性半导体工艺技术加工平台——半导体集成技术工程研究中心（以下简称中心）。中心拥有配套齐全的先进工艺平台、1700平米的超净工艺线和1100平米的办公用房，于2004年12月完成并投入使用。中心建立了规范的人员、服务和设备管理体系，具备了微纳电子学、光电子学以及微电子机械器件的集成加工及测试表征能力，对研究所科研目标的凝练、国家级重...