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搜索结果: 1-5 共查到电子科学与技术 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室相关记录5条 . 查询时间(0.346 秒)
基于锑化物和高速硅基光互连,开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片,实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片;发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片,着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向,开展高速硅光互连通信芯片研究
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质,开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术,研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性;研究低维材料的微纳光电器件;研究基于低维半导体的柔性电子器件,发展全柔性智能感知器件与系统集成。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储,开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备,研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应;实现全电学的自旋调控,研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象,发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用,旨在解决当前半导体科技中的关键问题,包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
半导体超晶格国家重点实验室(The State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures)1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建,1990年开始对外开放,1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员,实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。实验室研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要...

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