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中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种高温厚膜热敏电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 厚膜 热敏电阻
2024/1/15
本发明涉及一种高温厚膜热敏电阻的制备方法，该方法是将硝酸镧、乙酸锰和硝酸铝分别溶解在冰醋酸中，得到纯清溶液，将溶液蒸发得到凝胶，再将凝胶加热、高温晶化，得到热敏粉体，再将热敏粉体和乙基纤维素按照一定的质量比混合、研磨，再将研磨好的粉体和松油醇混合、搅拌得到均匀的厚膜浆料，最后将浆料印刷在Al2O3衬底上、热处理，得到厚膜热敏电阻。制得热敏电阻样品膜厚为25μm，满足电子设备结构的微型化要求，而在8...
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种全无机柔性热敏器件及其制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 全无机 柔性热敏器件
2023/12/29
本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好，重复性好，操作简单，实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 金刚石颗粒 热界面材料
2023/12/21
本发明属于微电子材料技术领域,具体为一种金刚石颗粒掺杂的热界面材料 及其制备方法,解决现有芯片和热沉间热界面材料已难以满足散热需求等问题。 本发明所提供的材料由Sn、Bi、In、Ga等金属颗粒和金刚石颗粒混合制成,Sn、 Bi、In等金属颗粒尺寸在20～80μm之间,其占有的体积分数为20～99％。金刚石 颗粒尺寸在5～80μm,占有的体积分数为1～80％。通过上述颗粒状的金属和金刚 石、有机载体...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
本发明涉及一种低B值适用于宽温区测温的高灵敏度热敏电阻材料及其制备方法，该热敏电阻以氧化镧、碳酸锶、三氧化二铬和氧化铝为原料，经混合研磨、煅烧、再混合研磨、冷等静压成型、高温烧结工艺、被电极工艺过程，得到具有钙钛矿相LaCrO3的陶瓷热敏电阻，电阻率℃为549.02?113042.65Ωcm、材料常数℃为981.51?1370.09 K和活化能℃为0.0846?0.1181 eV，负温度系数℃为3...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种大口径紫外三倍频器件的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 紫外 三倍频器件
2023/11/30
本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm?2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该四氟硼酸胍晶体Ⅰ类或Ⅰ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该四氟硼酸胍晶体相位匹配点；然后...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种接触式温控器中CaYNbMnO7热敏电阻的冷辅助制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 接触式温控器 CaYNbMnO7 热敏电阻 冷辅助
2023/11/30
本发明公开了一种接触式温控器中CaYNbMnO7热敏电阻的冷辅助制备方法，该方法以原料碳酸钙、三氧化二钇、五氧化二铌和二氧化锰利用冷烧结工艺制备相对致密的CaYNbMnO7陶瓷胚体，然后通过相对较低的烧结温度来促进相转变，并进一步提高CaYNbMnO7热敏陶瓷的致密度，得到CaYNbMnO7的热敏电阻材料。本发明所述方法具有能耗低、烧结时间短等优点，制得的CaYNbMnO7的圆片状高密度陶瓷块体材...
本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种双电容厚膜陶瓷感压元件的制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 双电容 厚膜陶瓷 感压元件
2023/11/28
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种双电容厚膜陶瓷感压元件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：复合电介质材料，制备方法以及平板型电容器和印刷电路板
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型掺杂CUCRO2基稀磁半导体材料及其制备方法
一种半导体器件的制备方法及半导体器件（图）
半导体器件
2023/11/10
本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高...