搜索结果: 136-142 共查到“材料科学 缺陷”相关记录142条 . 查询时间(0.037 秒)
用临界钝化电流（CriticalPassivationCurrentDensity．CPCD）法和液晶法，研究了不锈钢上Ta2O5，ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式：If＝k（1－θ）d．利用液晶的动态散射模型（DynamicScatteringMode，DSM），建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法，并证明了这两种方法的检测结果有良好的直...
Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱
深低温 正电子寿命谱 Al-Li-Cu-Mg-Zr合金 缺陷
1997/5/16
在深低温到室温不同温度下，测量了不同时效状态的Al-Li-Cu-Mg-Zr合金和含Zn 、Ag或Sc的合金的正电子寿命谱。分析表明：峰值时效使热空位大量回复并使基体电子密度提高。在深低温下，空位主要以单空位形式存在且随温度升高而激活并运动复合成多空位。Zn和Ag对空位的运动有束缚作用，Sc有助于空位的运动。样品在低温下基体电子密度升高，对合金低温强度产生重要影响。
多晶纯镍中氢致缺陷及其回复行为
氢 正电子湮没技术 多品纯镍 微观缺陷
1997/4/18
采用正电子湮没方法研究了充分退火与塑性变形多晶纯镍中阴极充氢产生的微观缺陷及其回复行为。实验结果表明，空位的迁移激活能Em＝0.96±0.05eV、电解充氢后充分退火和塑性变形纯镍的线性参数S和平均寿命均有显著上升。氢致缺陷的种类与充氢前样品的状态有关，充分退火态试样除产生一定数量的空位和位错外，还产生了相当数量在923K以上仍不能回复的微空洞甚至微裂纹等大尺寸缺陷，而形变试样充氢后主要是位错和空...
Fe-Cr-Ni合金淬火缺陷回复行为的正电子湮没研究
Fe－Cr－Ni合金 淬火缺陷 回复
1997/3/18
采用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽线形参数测量的方法，研究了Fe－Cr－Ni奥氏体合金高温淬火和塑性形变产生的晶体缺陷及其回复行为；讨论了缺陷回复和相互作用机制以及空位型缺陷和杂质原子之间相互作用的动力学过程。
金属缺陷能量学基础及掺杂晶界电子结构
原子间相互作用 掺杂晶界 电子结构
1997/1/18
本文综述了我们发展建立的第一原理原子间相工作用势及原子间相互作用能的理论计算方法同时报告了在金属缺陷、掺杂晶界电子结构及晶体基本性质的研究中，能量函数作为理论基础的里要应用另一方面、基于第一原理及Green函数方法研究了具有重要应用潜势的金属间化合物的电子结构及掺杂效应，揭示了杂质-晶界复合的量子效应及其与合金特性及位错反应的相关机制；指出B，N等元素具有强化晶界作用，P，S为脆化元素，MI影响T...
粗晶材料超声检测缺陷信号增强的小波分析法
粗晶 超声波 无损检测 小波变换
1996/12/18
在超声无损检测中，粗晶材料（奥氏体钢）的晶粒噪声往往使材料的缺陷信号变得难以识别。在分析晶粒噪声和缺陷信号频谱分布的基础上，利用小波分析法消 除晶粒噪声以实现有效识别缺陷的目标。利用此方法进行实际粗晶材料超声信号分析可方便地识别缺陷的存在与否以及缺陷的位置。
工业纯α- Ti氢处理产生的微观缺陷及其作用
α-Ti正电子湮没寿命 Doppler增宽 TEM 渗氢 除氢
1994/7/13
用正电子湮没、TEM和金相方法研究了不同程度氢处理的工业纯α- Ti产生的微观缺陷及其作用。实验结果表明：渗氢后材料内是单空位，或者是其自由体积相当于单空位的点缺陷(如晶界、相界上存在的严重畸变区缺陷数量远大于除氢后材料内的缺陷数量，当渗氢量为0. 58%时，渗氢后材料内的缺陷主要是位错；随氢含量增加，单空位的数量也随之增加；当氢含量达2. 11%时，其缺陷主要)。TEM和金相观察表明，渗氢后位错...