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搜索结果: 76-90 共查到材料科学 缺陷相关记录142条 . 查询时间(0.046 秒)
利用偏光金相显微镜和超声探伤仪对高性能机械密封用块体各向同性热解炭材料中的缺陷进行表征和无损检测。偏光显微观察发现,各向同性热解炭材料中的主要缺陷主要包括三种:各向异性夹杂、裂纹和各向同性夹杂。超声实验研究表明,利用脉冲反射法超声波检测技术可有效检出各向同性热解炭制件中存在的上述缺陷。目前该技术已成功地用于各向同性热解炭产品的批量探伤。
复合材料构件分层缺陷的概率分析方法与群子理论模型。
为了研究含负折射率光子晶体缺陷模的吸收特性,引入复折射率的概念,并采用光学特征矩阵方法,分析了各缺陷模的峰值和带宽随消光系数以及杂质厚度的变化.分析结果表明:杂质的消光系数对各缺陷模的中心波长没有影响,随着消光系数的增加,各缺陷模峰值逐渐减小,而带宽逐渐增加,且各缺陷模峰值和带宽的增减速度不同;当消光系数不变,随着杂质层光学厚度的增加,缺陷模的峰值和带宽都随之减小.因此在设计相关光学器件时,应充分...
采用OM和SEM-EDS研究了铝锌硅镀层小锌花和正常锌花的表面及截面的形貌和组织结构和化学成分;采用SEM-EDS和XRD研究了镀层的合金层组织结构、化学成分及相组成。结果表明,小锌花和正常锌花的锌花形貌、组织结构及化学成分基本一致。两者的不同点在于小锌花合金层中τ5相的数量明显多于正常锌花合金层中τ5相的数量,τ$5相数量上的差别是锌花不均缺陷产生的原因。τ5相数量越多,铝锌硅镀层在凝固过程中形...
通过改进Stober方法,严格控制反应条件合成了平均直径为238 nm、分布偏差约为5.7%的球形二氧化硅单分散颗粒. 首次利用乙醇作为沉降介质,在重力场作用下制备了二氧化硅光子晶体. 提出了自组装方法生长光子晶体的机理,并对缺陷形成原因进行了初步分析.
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第六节位错的增值,赛积与交割。
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第四节位错的应力场。
北京工业大学材料科学基础课件第一部分第三章 晶体结构缺陷第一节点缺陷第二节位错的结构第三节位错的运动。
基于冲压边部受拉时与单拉一致的应力应变状态,设计了改进的单拉实验,研究了剪切毛刺对高强钢板边部变形能力的影响规律。实验表明:随着毛刺高度增大板材边部变形能力呈下降趋势,解释了冲压边部在变形没有达到正常最大变形能力就发生破裂的原因。提出了改进的冲压边部破裂数值分析方法,从而解决了传统方法不能准确预示边部破裂的问题,并开发了专用数值分析软件,通过对某汽车排气管支架翻边工序进行分析,证明了该方法可行且有...
应用电容测试法并借助于点缺陷模型(PDM)计算了2205双相不锈钢与316L 奥氏体不锈钢在NaCl溶液中所形成的钝化膜内点缺陷的扩散系数,利用实验测得钝化膜的稳态电流和PDM模型对计算结果进行了验证分析。通过两种计算方法得到点缺陷在2205双相不锈钢与316L奥氏体不锈钢钝化膜内的扩散系数约为10-23cm2/s~10-20 cm2/s数量级,并发现在模拟海水溶液中2205钢的扩散系数比316L...
使用锌--碳钢异材质丝束电极技术, 模拟并研究了锌/钢电偶腐蚀不同阶段的电位和电流密度的空间分布. 结果表明, 在锌丝与钢丝面积比为10 : 1的情况下, 锌丝能给钢丝提供足够的阴极保护, 且锌丝之间存在明显的电位、电流分布不均现象; 钢丝之间也存在电化学参数分布不均现象, 而且在受到保护的同时钢丝表面有氢析出.
介绍了四种体积型腐蚀缺陷的评价方法,对比分析了其特点及适用性.结论为:ANSI/ASME-B31G适用于管材等级较低、管道服役年限长的老管道的评估,半经验、偏保守;DNV 法可进行单个缺陷、相互作用的缺陷和复杂形状缺陷的评估;SY/T6151-1995法评价过程较复杂,但评价结果较准确;API RP 579-2000是目前较先进、较精确的分级评估方法,我国的SY/T6477-2000等效于它.
通过对该研究领域的回顾,分析了涂层缺陷对腐蚀性 介质在涂层中的传输行为及金属基体腐蚀行为的影响,并对其研究方法进行了评述,提出现 存的问题和可能的解决方法.
针对石英纤维增强聚芳基乙炔(PAA)树脂基复合材料固化微裂纹缺陷问题, 采用差示扫描量热、 红外光谱、 顶杆示差、 三点弯曲及金相分析等方法, 通过PAA树脂的固化反应、 收缩特性分析, 研究了树脂浇注体力学性能、 增强体结构形式、 纤维体积分数对裂纹缺陷产生的影响。结果表明, PAA树脂固化收缩率大、 树脂脆性是PAA复合材料中裂纹缺陷产生的主要原因, 提高纤维含量、 减少富树脂区有助于抑制裂纹...
研究了在过保护电位作用下钢表面析氢作用对改性沥青涂层缺陷的破坏;并根据析氢电流变化,将破坏过程分为三阶段,研究了每阶段表面阻抗谱特征.结果表明,当析氢电流明显增大,相应阻抗图出现双容抗弧时,缺陷周围开始形成微观剥离;在-1.20 V、-1.37 V 和-3.07 V(均为CSE)电位作用下,双容抗弧出现时间分别为:55天未发现、8天和0.5天;对-3.07 V下、30天的涂层缺陷观察证实了宏观剥离...

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