搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 面发射激光器”相关记录31条 . 查询时间(0.227 秒)
本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；...
本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；...
拓扑腔面发射激光器（图）
半导体激光器 狄拉克涡旋”拓扑光腔 三维感知 激光雷达
2022/4/1
半导体激光器体积最小、效率最高、波长最广，价格最低，是各类应用场景之首选，但出射功率低和光束质量差是其最大的瓶颈，难点更在于这两个指标一般无法同时提高： 虽然增大器件尺寸可以提高激光功率，但是大器件中的多模激射会降低光束质量。之前，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心光物理重点实验室L01组陆凌团队，提出了一种“狄拉克涡旋”拓扑光腔，是已知大面积单模性最好的光腔设计，可以从原理上突破现...
电泵浦垂直外腔面发射激光器振荡特性的理论分析及实验研究
垂直外腔面发射激光器 电泵浦 振荡特性 耦合腔 阈值电流 微分量子效率
2013/4/1
对具有InGaAs/GaAsP量子阱周期增益结构有源区的980 nm电泵浦垂直外腔面发射激光器(EP-VECSEL)的振荡特性进行了理论分析及实验研究.模拟并分析了耦合腔条件下EP-VECSEL的振荡特性与其分布布拉格反射镜(DBR)及外腔镜反射率之间的关系，并根据理论分析结果对器件结构进行了优化设计.在实验上制备出具有不同外腔镜反射率的EP-VECSEL器件，并对其连续波(CW)振荡特性进行了研...
980 nm 垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备
垂直腔面发射激光器 欧姆接触 合金
2012/2/15
研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440 ℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 Ω,同时对比了440 ℃和450 ℃器件的输出功率和转换效率之间的对比...
850 nm 垂直腔面发射激光器列阵
垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵 非闭合阵列结构 电流注入 封装
2012/1/25
为了解决垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵中金丝难以键和和电流注入不均匀的问题,提出了一种非闭合型VCSEL列阵结构。该结构通过腐蚀非闭合环形凹槽形成器件台面,从而简化了工艺步骤,减少了器件的损伤。分别对2×2,3×3,4×4阵列的850 nm 非闭合型顶发射VCSEL器件进行了测试和分析,结果显示其室温连续输出功率分别达到80,140和480 mW;阈值电流分别为0.15,0.25和0.4 A...
径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器
高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 径向桥 热拐点
2010/1/25
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性，提高垂直腔面发射半导体激光器的输出功率，研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。对新型垂直腔面发射半导体激光器的结构模型进行理论分析表明，采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻，减小焦耳热;降低热阻，提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200ｕm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器，并对器件的性能进行了实验对...
垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的实验研究
湿法氧化 X射线能谱分析 氧化限制孔径
2009/11/30
为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制，提高其光电特性，对湿法氧化工艺进行了实验研究。在不同的氧化温度下，对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化。采用X射线能谱分析仪，对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测，依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化，对氧化过程进行了分析与讨论，推导出在一定的温度下，氧化速率随时间变化的一般规律，提出了在垂直腔面发射半导...
大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径
垂直腔面发射激光器 p型分布布喇格反射镜 渐变异质结
2009/11/2
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出，对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻，实现VCSEL在室温下的大功率连续发射，分析了p型DBR异质结的势垒结构，对突变异质结的串联电阻进行了计算分析，提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径，而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对...
850nm垂直腔面发射激光器
激光器 垂直腔
2008/10/21
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)作为半导体激光技术中的新型器件，VCSEL的发圆柱形光束垂直于芯片表面，射束无需进行不对称矫正或散光矫正，即可调制成用途广泛的环形光束，易与光纤耦合。相对传统的边发射半导体激光器具有光束质量好、易于制作大规膜集成列阵等优点。具有快速调变功能，利于高速光纤网路传输。在元件尚未切割及封装前，整个晶片可用wafer-level testing做每个晶粒特性检测，减低大量...
该成果属于八五期间承担的国家863计划重点研究项目“垂直腔面发射激光器”，目前该项目已实现了低阈值GaAs垂直腔面发射激光器室温连续激射，具有国内领先水平，并已研制出2×3、1×10VCSEL集成列阵。主要技术指标：工作波长：0.85μm信道传输速率： 155Mb/s，622Mb/s，1250Mb/s，2500Mb/s；阈值电压：≤1.5V；阈值电流：≤3mA；工作电流：≤10mA输出功率：2mW...
垂直腔面发射激光器及其收发模块
激光器 收发模块 垂直腔面发射
2008/10/8
该产品与传统的边发射激光器相比，具有一系列优点，如：出射光束呈圆形，发散角较小，与光纤的耦合效率较高；在解理前能用探针对激光器芯片进行电学和光学测试，使芯片自动化筛选成为可能，大大降低了成本，便于实现大规模生产；具有微米级的谐振腔，容易实现动态单纵模工作；另外，垂直腔面发射激光器可以制成二维阵列，进行二维光互联信息传输，还可以方便地和其它电学及光学器件集成。上述这些优点使该产品在光互联，光存储，...
高效大功率多波长隧道级联多有源区垂直腔面发射激光器
垂直腔面发射激光器 半导体光电子
2008/9/27
该仪器包括有上分布布拉格反射镜，下分布布拉格反射镜，衬底，还包括在上、下分布布拉格反射镜之间的N个重复排列的有源区部分和N-1个反向隧道结的重复结构构成大有源区部分，其中N是传统的有源区部分在该发明的垂直腔面发射激光器的数目，其中有源区部分p型限制层、增益区、n型限制层构成。其解决了统垂直腔面发射激光器材料生长和器件制备的工艺难度，成本高，成品率低，且随有源区体积减小，效率下降，以及激射波长为单一...
空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法
垂直腔面发射激光器 激光器 空气柱
2008/9/11
该项目开发了一种空气柱型垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法。该结构包括从上往下排列的p型欧姆接触层1，上分布布拉格反射镜2和AlxGal-xAs（x≥0.9）湿氮氧化层4，有源区单元6，下分布布拉格反射镜7，缓冲层8，衬底9和n型电极10。上分布布拉格反射镜2和AlxGal-xAs（x≥0.9）湿氮氧化层4之间有腐蚀停层3及AlxGal-xAs（x≥0.9）湿氮氧化层4和有源区单元6中的p型限制...
内腔接触式垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法
结构 激光器
2008/9/11
该项目涉及一种内腔接触式垂直腔面发射激光器的结构及其制备方法，属半导体光电子领域。其结构包括从上往下排列的上分布布拉格反射镜1，欧姆接触层4，AlxGal-xAs(x≥0.9)湿氮氧化层5，有源区单元7，下分布布拉格反射镜8，缓冲层9，衬底10和n型电极11。其特征在于：用选择性腐蚀方法腐蚀上分布布拉格反射镜1至腐蚀停层2，分别腐蚀腐蚀停层2、欧姆接触层4和AlxGal-xAs(x≥0.9)湿氮氧...