搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 垂直腔面发射”相关记录33条 . 查询时间(0.119 秒)
本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；...
本发明公开一种垂直腔面发射激光器的外量子效率测试方法，属于光电测试技术领域。本发明提供的方案为：测量垂直腔面发射激光器的光功率随电流变化关系，对垂直腔面发射激光器荧光模式和激光模式区域的数据通过线性拟合获得阈值电流，此外，还需测量垂直腔面发射激光器的光谱，进一步，利用阈值电流和工作波长获得外量子效率随注入电流的变化规律。本发明有以下优点：考虑了注入电流使得波长发生红移这一因素，计算结果精确度更高；...
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在高光束质量大功率垂直腔面发射激光研究中取得进展
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 高光束质量大功率垂直腔面发射激光关键技术 垂直腔面发射激光器
2015/12/28
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室（发光室）大功率半导体激光器及应用团队在高光束质量大功率垂直腔面发射激光关键技术研究中取得突破，研究成果获2015年度吉林省技术发明一等奖。垂直腔面发射激光器是2002年开始逐渐发展起来的新一代半导体激光器，与常规边发射半导体激光器相比具有光束质量好、易于二维集成等优点，在激光通信、激光显示、工业加工、国防应用等领域有广泛的应用前景，...
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所大功率激光研究组开发出了利用4个高功率垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）单管串接形成的百瓦级980nm波段高功率准列阵模块。该模块采用全自主化设计的芯片结构及模块结构，模块尺寸仅有2.2mmX2.2mm，输出功率高达210W，这是单管VCSEL模块迄今为止所报道的最高功率指标。该突破使得微小型高功率VCSEL模块有望在激光引信、激光测距及激光面阵雷达系统中...
980 nm 垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备
垂直腔面发射激光器 欧姆接触 合金
2012/2/15
研究了980 nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440 ℃,最低欧姆接触电阻值为0.04 Ω,同时对比了440 ℃和450 ℃器件的输出功率和转换效率之间的对比...
850 nm 垂直腔面发射激光器列阵
垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵 非闭合阵列结构 电流注入 封装
2012/1/25
为了解决垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵中金丝难以键和和电流注入不均匀的问题,提出了一种非闭合型VCSEL列阵结构。该结构通过腐蚀非闭合环形凹槽形成器件台面,从而简化了工艺步骤,减少了器件的损伤。分别对2×2,3×3,4×4阵列的850 nm 非闭合型顶发射VCSEL器件进行了测试和分析,结果显示其室温连续输出功率分别达到80,140和480 mW;阈值电流分别为0.15,0.25和0.4 A...
径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器
高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 径向桥 热拐点
2010/1/25
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性，提高垂直腔面发射半导体激光器的输出功率，研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。对新型垂直腔面发射半导体激光器的结构模型进行理论分析表明，采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻，减小焦耳热;降低热阻，提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200ｕm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器，并对器件的性能进行了实验对...
垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的实验研究
湿法氧化 X射线能谱分析 氧化限制孔径
2009/11/30
为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制，提高其光电特性，对湿法氧化工艺进行了实验研究。在不同的氧化温度下，对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化。采用X射线能谱分析仪，对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测，依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化，对氧化过程进行了分析与讨论，推导出在一定的温度下，氧化速率随时间变化的一般规律，提出了在垂直腔面发射半导...
大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径
垂直腔面发射激光器 p型分布布喇格反射镜 渐变异质结
2009/11/2
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出，对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻，实现VCSEL在室温下的大功率连续发射，分析了p型DBR异质结的势垒结构，对突变异质结的串联电阻进行了计算分析，提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径，而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对...
850nm垂直腔面发射激光器
激光器 垂直腔
2008/10/21
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)作为半导体激光技术中的新型器件，VCSEL的发圆柱形光束垂直于芯片表面，射束无需进行不对称矫正或散光矫正，即可调制成用途广泛的环形光束，易与光纤耦合。相对传统的边发射半导体激光器具有光束质量好、易于制作大规膜集成列阵等优点。具有快速调变功能，利于高速光纤网路传输。在元件尚未切割及封装前，整个晶片可用wafer-level testing做每个晶粒特性检测，减低大量...
该成果属于八五期间承担的国家863计划重点研究项目“垂直腔面发射激光器”，目前该项目已实现了低阈值GaAs垂直腔面发射激光器室温连续激射，具有国内领先水平，并已研制出2×3、1×10VCSEL集成列阵。主要技术指标：工作波长：0.85μm信道传输速率： 155Mb/s，622Mb/s，1250Mb/s，2500Mb/s；阈值电压：≤1.5V；阈值电流：≤3mA；工作电流：≤10mA输出功率：2mW...
垂直腔面发射激光器及其收发模块
激光器 收发模块 垂直腔面发射
2008/10/8
该产品与传统的边发射激光器相比，具有一系列优点，如：出射光束呈圆形，发散角较小，与光纤的耦合效率较高；在解理前能用探针对激光器芯片进行电学和光学测试，使芯片自动化筛选成为可能，大大降低了成本，便于实现大规模生产；具有微米级的谐振腔，容易实现动态单纵模工作；另外，垂直腔面发射激光器可以制成二维阵列，进行二维光互联信息传输，还可以方便地和其它电学及光学器件集成。上述这些优点使该产品在光互联，光存储，...
高效大功率多波长隧道级联多有源区垂直腔面发射激光器
垂直腔面发射激光器 半导体光电子
2008/9/27
该仪器包括有上分布布拉格反射镜，下分布布拉格反射镜，衬底，还包括在上、下分布布拉格反射镜之间的N个重复排列的有源区部分和N-1个反向隧道结的重复结构构成大有源区部分，其中N是传统的有源区部分在该发明的垂直腔面发射激光器的数目，其中有源区部分p型限制层、增益区、n型限制层构成。其解决了统垂直腔面发射激光器材料生长和器件制备的工艺难度，成本高，成品率低，且随有源区体积减小，效率下降，以及激射波长为单一...
高效率垂直腔面发射光电子器件的设计与研究
垂直腔面 光电子器件
2008/9/23
本项目研究并设计出面发射微腔光电子器件，结合半导体微腔激光器和激光半宽，计算了自发发射因子，指出增进自发发射因子器件的结构；提出通过微腔缩短自发发射寿命，提高响应速率，设计了10GHz调制带宽的半导体面发射激光器，同时考虑p区和n区的导电情况，研究质子轰击垂直腔面发射激光器的特性，完成了处理三维空间电场方程仿真，为开发相应软件打下基础。本成果不但是理论的突破，更重要的是为实现高速响应器件提供了新的...