搜索结果: 1-13 共查到“电子科学与技术 郝跃”相关记录13条 . 查询时间(0.07 秒)
近日，西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授、罗拯东副教授与西北工业大学甘雪涛教授课题组合作，基于二维层状材料异质结构建具有光电传感、计算和存储功能的感存算一体原型器件。相关科研成果在《先进功能材料》上发表。
《Nano Energy》发表郝跃院士团队常晶晶教授研究成果（图）
钙钛矿太阳电池 光电转换 有机-无机杂化 碘化甲脒
2022/1/25
钙钛矿太阳电池在过去几年中凭借其优越的材料特性实现了光电转换效率的飞跃，其中有机-无机杂化钙钛矿太阳电池的认证效率在2021年底达到了25.7 %，展现出巨大的商业化潜力。对于全无机钙钛矿CsPbIBr2，其优势在于良好的光学带隙和优异的热稳定性；然而基于CsPbIBr2的太阳电池具有较大的开路电压损失（Vloss）。如何减小开路电压损失，提升开路电压，进而整体提升电池性能依然是一个亟待解决的关键...
2020年7月，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发表，郝跃院士团队的张家祺博士和张苇杭博士为本论文的共同第一作者，张春福教授为论文的通讯作者。国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》及时对成果进行了跟踪报道，受到国内外业界的关注。
近日，郝跃院士主编的《集成电路设计丛书》由科学出版社正式出版完成。该丛书是国内第一套集成电路设计类丛书，是我国集成电路设计领域的最新成果总结，入选国家“十三五”重点出版物出版规划项目，获得国家出版基金项目资助。
2020年3月11日，省长刘国中主持召开省政府第六次常务会议，研究了2019年度省科学技术奖励工作。会议决定，授予杨绍卿、安芷生、郝跃三位院士2019年度陕西省最高科学技术奖，对“复杂疾病相关模式发现理论与方法研究”等260个项目进行奖励。
近日，西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队在负电容铁电场效应晶体管（FeFET）研究领域取得突破性进展，创新性提出并实现了新型纳米晶铁电材料（Nanocrystal-Embedded-Insulator，NEI）FeFET。该研究工作发表在IEEE Electron Device Letters2019年第一期，并选为封面文章突出报道。FeFET是利用铁电材料作为器件栅介质，实现非易失存储器或者...
国际著名行业杂志报道西安电子科技大学郝跃院士团队研究新进展（图）
著名行业杂志 西安电子科技大学 郝跃 院士
2018/7/23
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在AlGaN沟道HEMT器件研究领域取得重要进展，相关研究成果发表在IEEE Electron Device Letters上。近日，该成果被国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today专题报道。该论文的第一作者是西电博士研究生肖明，导师为张进成教授。论文的唯一署名单位为西安电子科技大学。氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已...
西安电子科技大学郝跃院士团队在微电子领域取得新的突破
西安电子科技大学 郝跃院士 团队 微电子领域
2018/7/10
2018年上半年，微电子学院、宽带隙半导体技术重点实验室郝跃院士科研团队在高性能微电子器件研究领域取得了一系列重大进展，在IEEE旗下IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices等重要期刊上连续发表28篇高质量的学术论文。
西安电子科技大学郝跃发现半导体材料“新大陆”（图）
西安电子科技大学 郝跃 半导体材料 新大陆
2018/5/17
“谁掌握了我们的芯片，谁就掌握了我们的信息空间。信息空间虽然呈现为多维的、抽象的、不可见的，但却实实在在地影响着我们的生活。人们在这个空间一旦失去自由，就没有安全感。”5月10日，西安电子科技大学宽禁带半导体材料首席专家郝跃院士再次郑重地重复了他当选院士时说的话。郝跃，1958年3月生于重庆市，籍贯安徽阜阳，中国科学院院士、微电子学家。1982年，郝跃毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展，首次通过实验系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。日前，在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting（简称IEDM）会议上报道了该研究成果，并收录...
2015年4月19日下午，为纪念摩尔定律发表五十周年，西安电子科技大学副校长郝跃院士为广大师生带来了一场精彩的报告，此为“纪念摩尔定律发表五十周年”系列学术活动的主场报告会，在西安电子科技大学教学楼研究生学术报告厅举办，全场座无虚席，西安电子科技大学微电子学院400余名师生聆听了报告。
2014年12月7日-8日，香山科学会议第516次学术讨论会在苏州召开，这是香山科学会议在北京外召开的第5次会议。本次会议主题为“氮化物半导体电子器件”。会议由中国科学院院士、西安电子科技大学副校长、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院院长郝跃教授担任执行主席，北京大学沈波教授，香港科技大学陈敬教授以及中科院苏州纳米所杨辉研究员担任会议共同执行主席。来自国家自然科学基金委员会、中国科学院、西安电...
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室博士生导师郝跃教授（图）
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 博士生导师 郝跃 教授 宽禁带半导体材料与器件 超深亚微米小尺寸器件可靠性 SoC设计与设计方法学
2013/4/24
郝跃教授，西安电子科技大学副校长，微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市，1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1990年在西安交通大学计算数学专业获博士学位；国际IEEE学会高级会员，中国电子学会常务理事，陕西电子学会、集成电路行业协会和陕西半导体照明协会理事长。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长，总装备部微...