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西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在AlGaN沟道HEMT器件研究领域取得重要进展，相关研究成果发表在IEEE Electron Device Letters上。近日，该成果被国际著名半导体行业杂志Semiconductor Today专题报道。该论文的第一作者是西电博士研究生肖明，导师为张进成教授。论文的唯一署名单位为西安电子科技大学。氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已...
