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砷化铟可替代硅制造未来电子设备（转发）
砷化铟 硅制造 电子设备
2010/11/25
据美国物理学家组织网11月23日（北京时间）报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。该研究结果发表在最新一期《自然》杂志上。
砷化铟可替代硅制造未来电子设备（转发）
砷化铟 硅 未来电子设备
2010/11/25
据美国物理学家组织网2010年11月23日（北京时间）报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。该研究结果发表在最新一期《自然》杂志上。