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中国科学院高能物理研究所专利：一种用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法
中国电子元件行业协会《声表面波器件用单晶薄膜基片》团标评审会议（线上线下）在青岛召开（图）
中国电子元件行业协会 声表面波器件用单晶薄膜基片 团体标准 声表面波器件 单晶薄膜基片
2022/10/16
中国电子元件行业协会电子陶瓷及器件分会《声表面波器件用单晶薄膜基片》团体标准评审会议，于2022年7月1-4日在山东省青岛市召开。中国电子元件行业协会团体标准管理部主任、全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会秘书长章怡（线上参会），电陶分会名誉理事长吴旭峰，秘书长罗平，《声表面波器件用单晶薄膜基片》团体标准牵头单位、济南晶正电子科技有限公司董事长胡卉、总经理胡文以及团体标准评审专家、制定单位...
针对增益均衡器小型化的发展趋势和要求，设计了多子结构单元级联的Ku波段的半模基片集成增益均衡器.谐振子单元与主传输线在三层介质基板上，成空间立体分布，构成七层结构；提出了利用多节微带线枝节进行阻抗匹配的过渡带设计方法，根据坐标变换分析得到HMSIW谐振腔的主模；采用羟基铁填充的吸收柱阵列调节衰减量和Q值，给出了该结构均衡器的设计步骤.与微带均衡器相比，该均衡器提高了Q值，减小了损耗.测试结果表明，...
基片衍射时原子速率对激光汇聚铬原子沉积的影响
激光技术 基片衍射 原子波包 光学势阱
2013/5/27
为了研究基片衍射对激光汇聚原子沉积的影响,基于标量光学衍射理论,采用数值计算对比分析了基片衍射与否两种情况下,铬原子波包几率密度分布(表征了沉积条纹)特征值随原子波包速率的变化。结果表明,当原子波包横向速率保持不变、而纵向最可几速率在考察范围内变化时,基片衍射会使波包几率分布的最大值平均约有14.9%的增加量,而半峰全宽平均约有14.3%的减小量;当原子波包纵向最可几速率保持不变、而横向速率在考察...
一种新型X波段基片集成波导双模带通滤波器
基片集成波导 双模谐振器 传输零点
2009/10/21
提出一种具有对称传输零点的基片集成波导双模带通滤波器．该滤波器含有两个双模矩形基片谐振腔，通过在谐振腔中引入电感不连续性，可以产生简并模式的耦合;每个谐振腔中不同模式间的相位差在通带两边各引入了一个传输零点，极大地改善了阻带特性．采用该方法设计了一个新型X波段双模带通滤波器，仿真与测试结果吻合．
为研究CO2激光预处理参数对熔石英基片表面粗糙度的影响，采用频率为100 Hz，光斑面积为1 mm2的CO2激光对理想的熔石英基片进行辐照处理，根据处理后基片表面微观形貌特征将修复程度分别定义为轻度、中度和重度修复，并对3种修复程度下基片的表面粗糙度值进行了统计。研究了不同脉冲作用时间和不同占空比（激光功率）的激光束单点单次辐照基片后的表面粗糙度。结果表明：石英基片的表面粗糙度均方根值和处理造成的...
微波复合介质覆铜箔基片（TF-1/2型）
覆铜箔基片 复合介质 微波
2008/11/12
微波复合介质覆铜箔基片（TF-1/2型）是由低损耗无机矿物填料金红石和低损耗有机材料聚四氟乙烯，严格按比例，在高温下制得，用该基片敷上超薄铜箔，经第二次压制，制成单、双面覆铜箔基片。其主要技术性能指标如下：剥离强度为10N/cm；体积电阻为5×10^6MΩ.cm；表面电阻为1×10^7MΩ；吸水性为0.02 %；使用温度为-50-200无变形摄氏度；尺寸稳定性为-20-200无变形mm/mm；介电...
流延法制造高热导率集成电路用氮化铝陶瓷基片
氮化铝陶瓷基片 集成电路 流延法 生产工艺
2008/9/5
氮化铝陶瓷基片的制造一直是国际上的难点问题。该项目提出了用流延法制造高热导率氮化铝陶瓷基片的理论和具体工艺方法。利用工艺制备的氮化铝基片烧结密度大，热导率高，适宜于规模化生产。该项目可促进氮化铝陶瓷基片的实用化，加快中国集成电路产业的发展。
采用连续CO2激光和真空等离子体相结合的方法对石英基片进行清洗。通过光学显微图、水接触角、透过率和损伤阈值测量分别表征了CO2激光和等离子体对真空硅脂蒸发物污染过的石英基片的清洗效果。研究表明：对于真空硅脂蒸发物污染后的石英基片，可以先采用低能量的CO2激光进行大面积清洗，再用真空等离子体进行精细清洗。光学显微图像表明：清洗后的基片表面的油珠被清除干净；水滴接触角由63°下降到4°；在400 nm...
硅基片上螺旋电感宽带物理模型
片上螺旋电感 物理模型 邻近效应 涡流损耗
2008/4/9
针对高损耗硅衬底，基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论，计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约，并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性，从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比，验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff，等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感...
基片表面朝向对ZnO纳米线生长机理的影响
汽-液-固(V-L-S)机理 汽-固(V-S)机理 ZnO纳米线 ZnO薄膜
2008/2/28
采用热蒸发ZnO粉末法，以金膜为催化剂，在两片表面分别朝上和朝下的Si(100)基片上生长ZnO纳米线(样品分别标为1＃和2＃)。X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰，说明ZnO纳米线沿(001)择优取向。通过扫描电子显微镜(SEM)表征发现，ZnO纳米线整齐排列在Si基片上，直径在100 nm左右，平均长度为4 mm。通过分析得出，两种基片上生长的ZnO纳米线的生长机理是不相...