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搜索结果: 1-15 共查到材料科学 多层膜相关记录31条 . 查询时间(0.216 秒)
采用磁控溅射方法,制备结构为Glass/Cu(60 nm)/[Tb(tTb=1.5,3.0 nm)/FeCo(1.5 nm)]5/Ta(10 nm)的两种不同Tb子层厚度的多层膜。采用X射线衍射分析仪、原子力和磁力显微镜、振动样品磁强计对样品的晶体结构、磁畴结构和室温磁性质进行表征,研究该多层膜系统的垂直磁各向异性和垂直交换偏置效应。X射线衍射分析表明,多层膜中Tb/FeCo界面主要呈非晶或纳米晶...
近期,中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷研究室核材料研究团队基于界面工程设计、采用大塑性变形方法,成功制备出了同时具有高强度、高热稳定性的高界面Cu/Ta纳米多层膜块体。相关研究成果在《材料学报》上发表。传统的纳米结构材料在高温、强辐照等极端条件下结构和性能都不稳定。因此,制备同时具有高强度及高稳定性的纳米结构材料一直是材料研究的难题。有研究表明,由完全不互溶金属组成的纳米多层膜具有高强度、高...
近期,固体所内耗与固体缺陷研究室核材料研究团队基于界面工程设计、采用大塑性变形方法,成功制备出了同时具有高强度、高热稳定性的高界面Cu/Ta纳米多层膜块体。相关研究成果在ActaMaterialia2016,110,341-351上发表。
近日,中科院金属所沈阳材料科学国家实验室磁性材料与磁学研究部的科研人员在国际上首次成功制备了硬磁相、软磁相和隔离层组成的各向异性纳米复合稀土永磁多层膜。 科研人员认为,制备和研究各向异性纳米复合稀土永磁多层膜材料,对弄清交换耦合机制和继续提高纳米复合磁体的磁性能十分重要。 软磁材料的磁性能特征就像个子高高的瘦子,而硬磁材料的磁性能特征就像个子矮矮的胖子。纳米复合永磁材料的研究思路就是将这两队胖...
多层膜结构热应力计算     多层膜  热应力  简化计算       2014/4/17
多层保护膜结构在光学窗口等领域有广泛应用,其中膜层中的热应力对系统的功能和可靠性有重要影响. 推导了条形多层薄膜结构系统中应力应变的计算方法,并针对薄膜厚度远小于基底厚度的薄膜结构计算进行了相应的简化,得到了其一阶近似以及零阶近似应力的计算公式. 采用此公式对ZnS-Y2O3-SiO2 双层膜系红外窗口系统进行了求解分析. 计算结果显示,热应力在两层薄膜上的相对误差分别为1.54% 和0.09%,...
利用多靶磁控溅射技术在SiO2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge, Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT), X射线衍射仪(XRD), 高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明, 在低温退火阶段(<200℃), Cu(Ge, Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu3Ge相,有...
探讨了应用电化学电沉积法制备具有超晶格结构的纳米组分调制多层膜的原理,对比了恒电流和恒电位两种电化学手段对膜层微观结构的影响,并简述了阳极氧化法制备多层膜陶瓷材料的研究现状;同时介绍了XRD、STM等几种常用于表征纳米多层膜微观结构的现代测试方法,阐述了纳米多层膜的优异性能及应用前景.
使用超高真空离子束辅助沉积系统(IBAD)制备一系列具有纳米调制周期的ZrN/TiAlN多层膜,研究了离子辅助轰击对薄膜性能的影响.结果表明:离子辅助轰击使大部分ZrN/TiAlN多层膜的纳米硬度和弹性模量值高于两种个体材料硬度的平均值;离子的轰击和薄膜表面原子与轰击离子之间的动量传输提高了薄膜的致密度;当轰击能量为200 eV时,多层膜的硬度最高(30.6 GPa),弹性模量、表面粗糙度和摩擦系...
研究了真空溅射及电化学方法制备尺寸在纳米量级的磁性多层膜、颗粒膜和纳米线阵列的方法。用穆斯堡尔效应(ME)作为微观探针,结合其它方法研究了材料的微结构及对电磁性能特别是巨磁电阻(GMR)效应的影响,为获得优异性能的新材料提供了实验依据。
对实际软X射线光学多层膜中普遍存在的主要非理想因素(层厚漂移、界面粗糙度和界面扩散)进行了定量描述基于动力学光学理论,计算了上述非理想因素对软X射线光学多层膜的掠入射镜向反射率的影响结果表明:层厚的随机漂移使反射率、尤其是高级反射率降低;累积层厚漂移破坏了多层膜的长程有序性,使反射峰展宽;界面扩散和界面粗糙度使反射率降低,对高级反射率的影响更甚,但二者并不破坏多层膜的长程有序性,所以反射峰的宽度不...
用磁控溅射方法制备了Ni80Co20/M(M=Co,Cr,Ag)多层膜样品系列,Co,Cr,Ag杂质层的标称厚度为0.1 nm,研究了界面散射对多层膜的磁及输运性质的影响.零场电阻率ρ的测量结果表明,对含Cr样品,p随杂质层间距L的依赖关系能较好的用Fuchs-Sondheimer(F-S)理论描述.而对含Co和Ag样品,ρ随L的依赖关系在L小于15 nm时开始偏离F-S理论.磁电阻测量表明,含C...
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜, 再经不同温度下真空热处理得到有序L10-(FePt)100-xCux薄膜. 结果表明, Cu的添加可以降低FePt薄膜有序化温度. [FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350 ℃热处理1 h后,有序度增至0.6, 矫顽力达到421 kA/m. 对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度下进行的热力学和动力学因素进行了讨论.
利用新型中频对靶磁控溅射技术合成了一系列TiN/Ti多层膜. 考察了不同Ti间隔层 对多层膜硬度和结合力的影响, 分析了膜表面大颗粒和坑的形成机理; 利用正交 实验法和方差分析探讨了靶电流、气体压力和基体偏压对薄膜表面缺陷密度的影响, 对工艺参数进行了优化. 结果表明, 靶电流对缺陷密度的影响最大, 气体压力次之, 基体偏压对缺陷密度影响最小; 当靶电流I=20 A、气体压力p (Ar+N...
Cu/Ni多层膜的强化作用来自于多层膜结构中交变应力场对位错运动的约束.该交变应力场主要包括两部分:在共格界面处由于剪切模量差而导致的镜像力, 以及多层膜内由于晶格常数差而形成失配位错网的应力. 如果位错在膜层内运动的临界应力值小于交变应力场的约束, 位错会被限制在单层膜内运动, 多层膜被强化; 反之, 则位错很容易通过界面到达临近的膜层, 多层膜开始出现弱化. 交变应力场的变化幅值与多层膜的调...

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