搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 电荷”相关记录38条 . 查询时间(0.07 秒)
近日,内蒙古大学化学化工学院王蕾教授课题组在半导体光生电荷迁移方面取得新进展,在国际能源领域著名期刊Nano Energy(影响因子为 17.881)上发表PdO界面层提高BiVO4半导体正面照射光电催化性能研究论文“Steering Electron Transfer using Interface Engineering on Front-illuminated Robust BiVO4 Ph...
微电子所刘明院士团队提出了使用有机电荷转移分子 F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面,通过 F4TCNQ 与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压(Von)从负数十伏被调制至0伏附近,F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降,其亚阈值摆幅(SS)反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范...
无机半导体纳米结构电极在太阳能电池、光解水及能量存储等器件中有着非常广泛的应用。电极的比表面积以及电荷输运能力是决定这些器件性能的关键因素。最近,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员封心建课题组在高性能无机半导体纳米电极的研究中取得了系列新进展。
科学家发现电荷调控方法材料或可“七十二变”
科学家 电荷调控方法材料 七十二变
2015/1/29
复旦大学物理系教授张远波课题组和中科大教授陈仙辉课题组等合作,发现一种新的实验方法——可控电荷插层,从而首次得到了1T—TaS2二维材料的完整相图。2015年1月27日,相关研究成果发表于《自然—纳米技术》。有关专家认为,这项实验大大加强了当前对1T—TaS2中电荷密度波和超导相的理解和调控能力。
基于模拟电荷法的微间隙场增强因子研究
微间隙 IEC安全火花试验装置 短路放电 模拟电荷法 场增强因子
2014/10/13
运动电极下的微间隙是国际电工委员会推荐安全火花试验装置(IEC-STA)短路火花放电体系的核心组成部分,也是研究装置短路放电特性、揭示短路放电机理的关键性难点.为研究其短路放电特性,运用扫描电镜对其电极进行了扫描分析,重构了最危险打火情形下的电极表面形貌模型.基于模拟电荷法建立了阴极表面场强的数学模型,并对传统模拟电荷法进行了改进,给出了其参数设置、算法流程及病态矩阵处理方法,并对场增强因子进行了...
2014年9月29日,重大科学研究计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在中国科学院微电子研究所召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士,南京大学郑有炓院士、施毅教授,国家外国专家局马俊如研究员,北京大学薛增泉教授、朱星教授,国家自然科学基金委员会何杰研究员,复旦大学沈健教授,中山大学邓少芝教授,东南大学顾宁教授,中科院前沿科学与教育局孔明辉处长、杨永...
电荷捕获存储器作为下一代高密度存储器的候选者,一直是微电子领域相关基础研究和产业开发的重点。电荷存储器的主要结构为隧穿层、捕获层和阻挡层构成的三明治结构,其中捕获层为存储电子的场所。电荷可能分布在捕获层的上下界面或者内部,其具体位置影响到器件的编程/擦除速度和电荷保持能力,是决定器件实际性能的重要因素。然而,传统的电学测试技术只能通过测量器件的I-V或者C-V曲线,并借助假定的模型来推测电荷在捕获...
矩量法中边界电荷对电流及近场分布的影响
矩量法 RWG 边界电荷
2010/5/24
详细推导了考虑边界电荷时RWG-MoM分析问题中涉及的阻抗矩阵计算公式,解决了阻抗矩阵计算中遇到的面积分奇异及线积分奇异问题,尤其是线积分奇异的处理,给出了巧妙的推导。通过仿真试验研究了边界电荷对电流分布及近场的影响,发现随着物体尺寸的减小边界电荷对电流分布及近场的影响逐渐明显。
考虑空间电荷场的Orotron的大信号理论研究
Orotron 大信号理论 空间电荷场
2010/4/30
本文讨论了Orotron的大讯号计算中空间电荷的影响。首先推导出直角坐标系统中,当一个边界为无限大时的空间电荷场的近似表达式,然后利用这一空间电荷场模型,计算了Orotron的自洽的大信号相互作用,讨论了空间电荷参量对器件性能的影响。
无源超高频RFID低压高效电荷泵的设计与实现
电荷泵电路 低压 能量转换效率 射频识别
2010/4/13
提出了一种适用于无源超高频射频识别(RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离。该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统电荷泵中的阈值损失,有效抑制了反向漏电流,提高了电荷泵的灵敏度和能量转换效率。该结构使用chartered 0.35 µm CMOS工艺进行流片验证,实测结果...
国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议召开
国家973计划 半导体器件会议
2010/2/5
2010年1月29日,中科院微电子所国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》、《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议在北京外国专家大厦举行。国家科技部基础司钱小勇处长、中科院高技术局戴博伟处长、中科院基础局王永祥处长出席会议并致辞。吴德馨院士、郑有炓院士、王越院士、周炳琨院士、范守善院士、解思深院士及相关兄弟院所高校专家和两项目...