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中国科学院上海应用物理研究所专利：侧向离子束诱导电荷显微分析技术
氮化镓（GaN）材料所具有的宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度，使之成为功率开关器件的理想之选。GaN基功率器件凭借其耐高温、耐高压、高频和低损耗等特性大大提升电力器件集成度，简化了电路设计和散热支持，具有重要的价值和广泛的应用。然而，在GaN基电子器件中实现高耐压性能，有赖于极低的贯穿位错密度的高质量GaN基晶体材料。降低GaN材料缺陷密度、提高晶体材料质量是当前第三代半导体领域最具挑战的课...
西安石油大学电子工程学院测井仪器方法及原理课件第一章 双侧向测井。
闪光照相中侧向散射的数值模拟
法国实验客体 闪光照相 侧向散射
2009/12/23
散射是闪光照相诊断技术中需要重点考虑的一个关键性问题，弄清散射的影响因素及其来源对于提高客体信息诊断精度具有十分重要的促进作用。针对法国实验客体照相系统，采用蒙特卡罗方法，系统研究了侧向散射的影响因素及其来源。结果表明：在没有侧向保护器的情况下，前保护器是侧向散射的主要来源，对任一点，前保护器的散射贡献均达到50%以上，并且侧向散射沿光轴方向呈递增或递减分布。在有侧向保护器情况下，侧向散射照射量有...
利用侧向阴影照相技术探测靶的飞行速度
状态方程 飞片撞击法 侧向阴影照相
2009/8/21
建立起一套侧向阴影照相的光学系统,利用可见光作为探测光,在状态方程实验中对靶的飞行速度进行探测。在天光KrF准分子激光装置上进行激光打靶实验,激光波长为248.4 nm。在激光功率密度为8.3×1011 W/cm2的条件下,测得50 μm厚铝靶的飞行速度为3.28 km/s;在激光功率密度为4.7×101011 W/cm2的条件下,测得带100 μm厚烧蚀层的13 μm厚铝靶的飞行速度为2.52 ...