工学 >>> 光学工程 >>> 光电子技术 光信息技术 光学仪器及技术
搜索结果: 46-56 共查到光学工程 长波相关记录56条 . 查询时间(0.057 秒)
该课题组针对器件大面积,长波的特点,深入开展材料、器件物理和器件设计、工艺结构、封装、检测等方面的研究,解决一系列科学技术关键,研制成功红外探测器。其性能为:波长:16~25μm(77K);探测率:3.48×10^(10);低温聚光器主件探测:1.38×10^(11);近室温器件:10.6μm(225K);探测率:2×10^(9)。该器件可用于红外分光辐射计、国防特性测量、激光制导与测距、光谱特性...
该成果攻克了制备高质量晶体件工艺的多项高难度技术,研制成功了高性能光导型单片60元线列碲镉汞长波红外探测器。开发了大面积晶片低损伤减薄、表面处理及纯化膜光敏元的精密成形、延伸电极等工艺,基本建立了一套单片60元线列芯片的集成工艺技术,攻克了无盲点、高精度的芯片拼接关键技术,这是国内碲镉汞多元器件工艺上的重大突破。此外,还研制了器件低阻低噪声抗电冲击的保护电路。该探测器的主要光电性能指标达到80年代...
谐振腔增强型(RCE)光探测器具有高速、高量子效率和波长选择等性能,是高速光通信系统和全光网络中的关键器件。本课题取得了如下成果:1、发明了InP-空气隙DBR的独特制备工艺方法,成功解决了InP基RCE光探测器中的DBR关键问题,首次实现了InP-空气隙DBR结构的RCE光探测器。2、在国际上首次提出并尝试成功了基于特殊图案透明欧姆接触微结构的高速响应RCE 光探测器方案,从而使得在器件入光面积...
长波长分布反馈(DFB)激光器为采用超薄层纳米级应变多量子阱材料和内光栅增益耦合设计开发出的短腔长、单纵模、窄线宽、高速光发射器件。主要技术指标:波长:1.3μm系列 1280-1330nm,1.55μm系列1530-1570nm;调制速率:155Mb/s,622Mb/s,1.5Gb/s,2.5Gb/s;阈值电流Ith:20mA;出纤功率:1.0 mW,2.0 mW;边模拟制比:30dB;-3dB...
该激光器采用AlGaInAs材料和RWG结构、低失真耦合封装和预失真补偿技术,形成高功率和高线性的光发射模块。器件的主要技术指标:中心波长λP1310±10nm;阈值电流Ith≤25mA;输出功率Pf≥10mW;斜率效率η≥0.25mW/mA;边模抑制比SMSR≥35dB;3dB调制带宽Fm≥2GHz;中值寿命MTTF≥2×10.5小时;二阶互调失真CSO≤61dBc;三阶互调失真CTB≤65dB...
该项目研究的重点为扩展探测器的峰值波长和降低器件的工作温度。该项目确定了量子阱甚长波长线列焦平面阵列的总体解决方案;生产出峰值波长大于12微米的多量子阱材料,制备出单元器件并测试其性能。该项目进行了光栅的优化设计与制备,在理论上研究其他类型的光耦合结构以及工艺实现的可能性,找到在已有工艺基础上对特定波长实现最佳光耦合的结构;根据甚长波量子阱红外探测器特性,考虑国内现有读出电路兼用的可能性,探索出甚...
该项目建立GaInAsNSb量子阱能带结构和N、Sb元素对量子阱发光作用机制等理论模型。针对分子束外延系统难以精确重复控制N气源的问题,设计发明N气瞬态控制装置,成功突破GaInAs/GaAs量子阱、GaInAs/InAs/GaAs量子阱/量子点复合、GaInNAs/GaAs量子阱等核心层材料生长技术,室温发光效率达到国际一流水平。研制成功1.31微米GaInNAs/GaAs量子阱面发射激光器,...
该探测器是发展高速光通讯技术的关键器件之一。该成果对高速长波长光电探测器的结构、材料、工艺、高频封装、瞬态高速特性测试等一系列问题进行了研究,其响应时间小于100ps(tr=21ps,FWHM=75ps)。
为了进一步深入理解掠入射驱动碰撞机制的特点与长处,以基频光正入射驱动为参照,用系列程序研究了6 mm和3 mm激光正入射驱动类镍银碰撞激发机制。在波长6 mm的激光正入射驱动下,激光能量直接沉积到增益区,大大提高了增益区的电子温度;以5 J驱动能量,获得有效增益系数为20.7 cm-1的高增益和有效增益长度积为41.4的深度饱和增益,与波长1.053 mm的正入射相比,以19%的驱动能量,使有效增...
2月27日,中科院上海技物所“长波红外推扫相机技术研究”成果通过了鉴定。据悉,该课题采用推扫红外成像,比国内现有的光机扫描有更高的空间分辨率和探测灵敏度。长波红外推扫技术是实现高分辨率红外空间对地观测的一项关键技术,由于该技术能够实现更高的探测灵敏度,对江、湖、河、海的水面温度探测、热排污监测、城市热岛效应监测、地热资源探测等方面的应用非常有利,在环境监测和资源开发等方面均有很好的应用前景。经中国...
专著信息 书名 光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究 语种 中文 撰写或编译 作者 全知觉,李志锋,胡伟达,叶振华,陆卫 第一作者单位 出版社 红外与毫米波学报,投稿 出版地 出版日期 年 月 日 标准书号 介质类型 页数 字数 开本 相关项目 HgCdTe的材料芯片方法研究

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...