搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 碲镉汞”相关记录26条 . 查询时间(0.073 秒)
为研究带有电容反馈跨阻放大器（CTIA）读出电路的线阵碲镉汞焦平面阵列器件在强脉冲激光作用下的响应特性，使用100 ns脉宽的2 μm波段红外激光开展了单脉冲辐照效应实验，发现了脉冲激光诱导的焦平面阵列输出信号整体跃变现象，即较强脉冲光辐照后，线阵器件中所有像素的输出信号出现幅度近似一致的上升。对信号跃变实验规律进行了分析，结果表明，信号整体跃变出现阈值约为1 μJ/cm2，信号跃变量随辐照光强单...
为了研究强脉冲激光辐照下光伏型探测器的响应行为，利用室温下零偏压工作的短波红外光伏型碲镉汞单元探测器开展了实验研究。使用调制频率为1 000 Hz的2.0 μm光纤激光作为探测器正常工作时探测的信号光，以不同能量的2 μm波段脉冲激光作用于工作状态的探测器。实验结果显示，当入射到探测器光敏面的脉冲激光能量密度达到0.1 J/cm2量级时，在脉冲激光辐照结束后的短时间内，探测器对信号光的响应幅值出现...
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化，并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件，并进行了SEM、C-V和I-V表征分析，研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明，钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞，CdTe/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善；采用改进的钝化工艺制备的MIS器件...
金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究
气相外延 Hg1-xCdxTe 晶体 拉曼光谱
2014/1/15
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe 薄膜材料，通过高低温退火工艺有效控制p 型Hg1-xCdxTe 材料的电学参数，利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺，利用金掺杂材料初步研制了短波器件，器件性能较好黑体DλP* 可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
HgCdTe e-APD 工作于线性模式，通过内雪崩倍增效应将一个微弱的信号放大多个数量级。介绍了一个具有列共用ADC 制冷型(77 K)数字化混成式HgCdTe e-APD FPA 读出电路，可以应用于门控3D-LARDAR 成像，有主被动双模式成像功能。Sigma-delta 转换器比较适合于中规模128×128 焦平面列共用ADC。调制器采用2-1 MASH 单比特结构，开关电容电路实现，数...
用X射线衍射评价硅基碲镉汞分子束外延材料及优化其生长条件研究综述
X射线 硅基碲镉汞 分子束外延材料
2009/5/21
用X射线衍射评价硅基碲镉汞分子束外延材料及优化其生长条件研究综述。