搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 量子阱”相关记录71条 . 查询时间(0.431 秒)
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新进展。研究员王庶民领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长最长（1.142微米）的电泵浦镓砷铋室温（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射最大输出功率达到127 mW，并在273 K首次报道连续激射。相关研究论文1.142 μm GaAsBi/G...
报道了激射波长为2.1 μm 的GaInSb/AlGaAsSb双量子阱激光器。通过优化外延结构设计和欧姆接触,无镀膜的宽条激光器达到了9.8%的峰值功率转换效率,这比原来的值提高了1.5倍,室温下得到了615 mW的连续激射功率输出和1.5 W的脉冲激射功率输出。这些激光器的阈值电流密度低至126 A/cm2,斜率效率高达0.3 W/A。通过测试不同腔长的激光器,测得内损耗和内量子效率分别为6 c...
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300 μm×300 μm台面,内电极压焊点面积为20 μm×20 μm,外电极压焊点面积为80 μm×80 μm单元量子阱器件两种。利用傅里叶光谱仪对1#,2#样品进行77K液氮温度光谱响应测试。实验结果显示1#,2#样品峰值响应波长分别为8.43 μm,8.32 μm,与根据薛定谔方程得到器件理论峰...
2μm半导体激光器有源区量子阱数的优化设计
多量子阱激光器 有源区量子阱数目 数值模拟
2014/11/5
利用LASTIP软件理论分析了有源区量子阱数目对不同组分的InGaAsSb/AlGaAsSb 2 μm半导体激光器能带、电子与空穴浓度分布以及辐射复合率等性能参数的影响。研究表明: 量子阱的个数是影响激光器件性能的关键参数, 需要综合分析和优化。量子阱数太少时, 量子阱对电子束缚能力弱, 电子在p层中泄漏明显, 辐射复合率低。量子阱数过多时, 载流子在阱内分配不均匀, p型层中电子浓度升高, 器件...
中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制
中/长波切换工作模式 双色量子阱红外焦平面 红外成像
2014/10/25
报道了中/长波切换工作模式的双色量子阱红外焦平面研制。通过特殊设计的器件和读出电路结构,获得了可对中波波段和长波波段选择的切换架构。突破了双色量子阱材料、器件以及读出电路等关键技术,研制出384×288规模、25 μm中心距双色量子阱红外焦平面探测器。在70 K条件下器件性能优良,噪声等效温差为28 mK(中波)和30 mK(长波),响应峰值波长分别为5.1 μm(中波)和8.5 μm(长波)。室...
基于半导体多量子阱中激子能级的EIT全光开关
半导体多量子阱 电磁诱导透明 全光开关
2013/7/18
我们报道了一种全新的全光开关，该光开关是在半导体多量子阱中基于激子和双激子能级形成的EIT效应，利用量子相干相消效应来减小材料对探测光场的吸收，且探测光场吸收的强度可以通过控制光场来调节。若将控制光场设置为脉冲光场，则可以实现探测光场的开关调制，通过选取适当的控制光场的强度，可以得到约86%的开关效率。
介质折射率对光子晶体量子阱滤波性能的调制
滤波带宽 调制 光子晶体量子阱 折射率
2013/7/5
为设计高品质的光学滤波器件，利用传输矩阵法理论，通过数值计算模拟的方法，研究垒、阱层介质折射率对光量子阱滤波带宽的调制机制，结果表明，光量子阱滤波带宽对垒、阱层介质折射率的响应相当灵敏：垒层高折射率介质的折射率越大，光量子阱的滤波带宽越窄；垒、阱层介质的折射率和的比值越大，光量子阱的滤波带宽越窄。光量子阱滤波带宽对介质折射率的响应机制，为提高光子晶体光学滤波器件的品质、性能提供方法依据，同时对光量...
实现高效光滤波与放大功能的掺激活杂质光量子阱
光子晶体量子阱 激活杂质 滤波品质 光放大
2013/4/10
通过传输矩阵法理论，研究激活杂质对双重势垒光量子阱滤波器特性的影响，结果表明：介质未掺激活杂质时，双重势垒光量子阱滤波器品质随垒层周期数的增大而提高，同时滤波通道的频率发生位移；内、外垒层或阱层介质分别掺激活杂质时，各共振隧穿模出现高倍光放大现象，且各共振隧穿模的频率位置恒定；随激活介质介电虚部大小的增大光量子阱滤波器品质迅速提高，特别是阱层介质掺杂时品质提高尤为明显，高达8.010×104倍；利...
表面等离子体增强型量子阱红外探测器光栅设计与模拟
表面等离子体 量子阱 红外探测器
2013/3/28
本研究分析了目前量子阱红外探测器应用中的主要制约因素，从表面等离子体的激发和传输物理机制出发，将表面等离子体近场光增强效应引入量子阱红外探测器光栅设计中，通过模拟计算进一步分析了光栅结构参数对探测器吸收波长和强度的影响，为未来这项技术的进一步应用打下理论基础。
双负介质对一维光子晶体量子阱透射谱的影响
滤波品质 光子晶体量子阱 双负介质 透射谱
2013/2/15
为设计高品质的光学滤波器和光学开关，用传输矩阵法研究双负介质对一维光子晶体量子阱（AB）m（CBAABC）n（BA）m透射谱的影响，结果表明：当C层为双正介质时，光量子阱透射谱中出现2n+1条窄透射峰，当C层为双负介质时，呈现简并现象，光量子阱透射峰中仅出现2n-1条窄透射峰；当C层双负介质折射率负值增大时，光量子阱透射谱向禁带中心两侧移动，同时透射峰的品质因子快速提高；当C层双负介质光学厚度负值...
晶格常数对光子晶体量子阱透射谱的影响
高品质滤波 晶格常数 光子晶体量子阱 透射谱
2012/5/12
为设计高品质光学滤波器、光开关等量子光学器件，用传输矩阵法理论研究晶格常数对一维光量子阱（AB）5（CD）2（BA）5透射谱的影响，结果发现：当A、B介质层的晶格常数偶数倍增加时，禁带中心频率处的窄透射峰变成宽透射带，透射带两侧对称分布着2条透射率为100%的窄透射峰；当A介质层的晶格常数奇数倍增加时，禁带中心频率处出现透射率为100%单条窄透射峰；当B介质层的晶格常数奇数倍增加，或D介质层的晶格...