搜索结果: 1-14 共查到“知识要闻 电子科学与技术 半导体器件”相关记录14条 . 查询时间(0.061 秒)
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展（图）
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展（图）
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展（图）
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/5/9
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
近年来，随着芯片制程逐渐逼近物理极限，面对硅材料的固有限制，芯片先进工艺尺寸微缩如何继续？芯片功能如何扩展？而得益于二维（2D）材料的原子级厚度和表面无悬挂键的结构特性、优异的光电及量子效应等，2D材料被广泛认为在后摩尔技术中扮演关键角色。那么，如何充分利用2D半导体来弥补硅基技术的不足？鉴于此，浙江大学徐明生教授、杨德仁院士和复旦大学周鹏教授团队为2D半导体融合于硅基技术提出了单片「硅上」（硅作...
华为公开“半导体器件”相关专利（图）
华为 半导体器件 专利
2021/7/12
近日，据天眼查显示华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利，公开号CN113054010A，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙钱团队在功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议（32nd ISPSD）发表重要研究进展（图）
孙钱 功率半导体器件 集成电路 学术会议
2020/9/29
会议简介：ISPSD（全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs， 功率半导体器件和集成电路国际会议）是功率半导体器件和集成电路领域在国际上最重要、影响力最强的顶级学术会议，它被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外半导体产业界龙头企业（台积电、三星、松下，英飞凌，东芝...
近日，应校长叶美兰教授邀请，微电子科学技术、半导体器件物理专家、美国国家工程院院士施敏教授来我校访问并开展学术交流活动。5月18日上午，施敏院士受聘我校名誉教授仪式在三牌楼校区科学会堂第一报告厅举行。校党委书记刘陈教授向施敏院士颁发聘书，并为其佩戴南京邮电大学校徽。中国科学院院士、南京大学祝世宁教授，台湾明新科技大学顾鸿寿教授，安徽大学陈军宁教授及我校人事处、通信与信息工程学院、国家“111”计划...
科学家研制基于半导体器件的智能服装（图）
半导体器件 智能服装
2018/8/13
一种新型制造方法可以将发光二极管和传感器直接织入纺织级聚合物纤维中。该工艺或可用于开发能够实现光通信和健康监测的新型可穿戴技术。能够发射或探测光的半导体二极管是通信和传感器技术的基本构件。如果能将它们融入织物中，则有望创造出新型可穿戴电子设备。然而事实证明，要将半导体器件的功能与基于纤维的纺织品的可扩展性结合起来，实属一件棘手的事。
2018年5月16日，美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士施敏教授受聘我校名誉教授。聘任仪式在沙河校区光电科学与工程学院举行。副校长胡俊为施敏教授颁发聘书，佩戴校徽。聘任仪式由光电科学与工程学院院长蒋亚东主持。胡俊代表学校欢迎施敏教授来校交流访问，表示施敏教授在半导体物理与器件领域做出的突出贡献是华人的骄傲。他说，电子科大深入实施“人才强校”战略，全力推进中国特色世界一流大学建设，衷心希望施敏教...
2014年12月7日-8日，香山科学会议第516次学术讨论会在苏州召开，这是香山科学会议在北京外召开的第5次会议。本次会议主题为“氮化物半导体电子器件”。会议由中国科学院院士、西安电子科技大学副校长、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院院长郝跃教授担任执行主席，北京大学沈波教授，香港科技大学陈敬教授以及中科院苏州纳米所杨辉研究员担任会议共同执行主席。来自国家自然科学基金委员会、中国科学院、西安电...
黄均鼐、汤庭鳌教授和胡光喜副教授编撰的《半导体器件原理》荣获中国电子教育学会全国电子信息类优秀教材（研究生、本科生教育优秀教材）一等奖。本书是在20年前黄均鼐教授和汤庭鳌教授合著的《双极型与MOS半导体器件原理》基础上一次改版，由复旦大学出版社出版。本书得到上海市科委通过上海自然科学基金项目的支持。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所2篇论文获“2012全国半导体器件技术、产业发展研讨会”优秀论文奖。
国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议召开
国家973计划 半导体器件会议
2010/2/5
2010年1月29日，中科院微电子所国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》、《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议在北京外国专家大厦举行。国家科技部基础司钱小勇处长、中科院高技术局戴博伟处长、中科院基础局王永祥处长出席会议并致辞。吴德馨院士、郑有炓院士、王越院士、周炳琨院士、范守善院士、解思深院士及相关兄弟院所高校专家和两项目...