搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术 CMOS”相关记录15条 . 查询时间(0.119 秒)
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2023/10/16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/10/7
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎（图）
CMOS 数据转换器
2023/8/4
2023年8月1日-2日，由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术)，模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业，共计60余位集成电路工程师参加。
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇教授课题组在《科学》发表5nm碳纳米管CMOS器件研究成果（图）
北京大学信息科学技术学院 彭练矛-张志勇教授课题组 科学 5nm碳纳米管 CMOS器件 集成电路
2017/1/20
集成电路发展的基本方式在于，在晶体管尺寸缩减的前提下，研制性能更强大、集成度更高、功能更复杂的芯片。目前，主流CMOS（互补金属氧化物半导体）技术将达到10 nm（纳米）的技术节点，后续由于受到来自物理规律和制造成本的限制而很难继续提升，“摩尔定律”可能面临终结。20多年来，科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，以期替代硅基CMOS技术，然而迄今为止，尚未实现10 nm新型CMO...
14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术研发取得进展（图）
14纳米 CMOS量产工艺 光源掩模 优化技术
2016/11/4
近日，中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展，完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估，较原有光源在各项关键指标上有显著提升，保证了先进节点中光刻工艺的稳定性，确保后续研发进程的顺利进行。
IDT 推出全球精度最高的全硅CMOS振荡器 （图）
IDT 全球 全硅 振荡器
2010/11/22
IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，而无需使用任何机械频率源或锁相环（PLL）。
微电子所CMOS超宽带射频前端关键芯片研制取得突破性进展（图）
芯片 进展
2008/8/5
超宽带 (UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术，其传输速率可以达到480Mbps甚至更高，主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域，拥有巨大的市场前景。2004年，美国联邦通信委员会(FCC)将3.1-10.6GHz频段划归为UWB的民用频段，此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。
CMOS超宽带射频前端关键芯片取得突破性进展
超宽带 频集成电路 芯片
2008/8/5
超宽带(UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术，其传输速率可以达到480Mbps甚至更高，主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域，拥有巨大的市场前景。2004年，美国联邦通信委员会(FCC)将3.1—10.6GHz频段划归为UWB的民用频段，此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。
我国在UWB领域也投入了一定的研究，先后得到了国家8...
中国科学院微电子研究所CMOS工艺线顺利交付第一批商业产品
工艺 商业产品
2008/6/16
经过两年的艰苦努力，中国科学院微电子研究所一室CMOS工艺线全体员工克服了经费短缺、设备老化、人员不足的困难，使新的CMOS平台从无到有，初具规模，并于日前成功完成北京奇攀微电子公司第一批４英寸CMOS器件产品订单。首批交付产品经对方检验，性能指标良好，完全达到验收标准。全部产品订单完成后，合同标的总额可达３２０万以上。此项工作的顺利完成，标志着一室CMOS工艺平台调试工作达到了一个新的阶段。
继成功自主开发出我国首款CMOS全球卫星导航接收射频及基带芯片后，近日，微电子所与杭州中科微电子有限公司联合宣布成功研发出我国首款应用于手机的低成本卫星导航接收芯片组，这标志着微电子所在与杭州市高新区开展的院地合作中取得重大成果。
电子产品世界2007年2月27日报道 瑞萨科技公司与松下电器产业有限公司宣布共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS*1的SRAM（静态随机存取存储器）稳定工作的技术，这种SRAM可以嵌入在SoC（系统级芯片）器件和微处理器（MPU）当中。采用这种技术的512KbSRAM的实验芯片的测试已经得到证实，可以在宽泛的温度条件下（-40℃－125℃）稳定工作，而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范...
NEC电子开发55nm CMOS 首次采用ArF曝光技术
NEC电子 CMOS工艺技术 ArF曝光技术
2006/6/29
eNet硅谷动力2006年6月28日报道 NEC电子和NEC日前开发出了55nm CMOS工艺技术。在MOS FET栅绝缘膜中导入了high-k（高介电常数）材料，实现高载流子迁移率，从而同时实现了便携终端等领域所要求的低耗电和高速运行。双方首次采用了液浸ArF曝光技术。
华中科技大学光电国家实验室成功承办纳米CMOS技术学术研讨会
第十届 IEEE电子器件协会 CMOS技术 学术研讨会 华中科技大学
2006/3/22
2006年3月15日上午9时，“第十届IEEE电子器件协会纳米CMOS技术学术研讨会（The 10th Workshop and IEEE EDS Mini-colloquia on Nanometer CMOS Technology）”在华中科技大学光电国家实验室A区301学术报告厅举行。本次会议由IEEE EDS（电子器件协会）主办，华中科技大学电子与科学技术系、武汉光电国家实验室（筹）、武汉...