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微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2023/10/16
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/10/7
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎（图）
CMOS 数据转换器
2023/8/4
2023年8月1日-2日，由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术)，模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业，共计60余位集成电路工程师参加。
中国科学院微电子研究所专利：双金属栅极CMOS器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院声学研究所专利：低噪声CMOS集成参考电压产生电路
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来，是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高，高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势，可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件（大连理工制作版本）第3章第2节 CMOS门电路
山东大学信息科学与工程学院 数学电子技术 课件（大连理工制作版本） 第3章 第2节 CMOS门电路
2017/4/25
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件（大连理工制作版本）第3章第2节 CMOS门电路。
北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇教授课题组在《科学》发表5nm碳纳米管CMOS器件研究成果（图）
北京大学信息科学技术学院 彭练矛-张志勇教授课题组 科学 5nm碳纳米管 CMOS器件 集成电路
2017/1/20
集成电路发展的基本方式在于，在晶体管尺寸缩减的前提下，研制性能更强大、集成度更高、功能更复杂的芯片。目前，主流CMOS（互补金属氧化物半导体）技术将达到10 nm（纳米）的技术节点，后续由于受到来自物理规律和制造成本的限制而很难继续提升，“摩尔定律”可能面临终结。20多年来，科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术，以期替代硅基CMOS技术，然而迄今为止，尚未实现10 nm新型CMO...
14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术研发取得进展（图）
14纳米 CMOS量产工艺 光源掩模 优化技术
2016/11/4
近日，中国科学院微电子研究所先导中心研究员韦亚一团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展，完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估，较原有光源在各项关键指标上有显著提升，保证了先进节点中光刻工艺的稳定性，确保后续研发进程的顺利进行。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第九章 CMOS数字IC的版图设计。