搜索结果: 1-15 共查到“半导体材料”相关记录808条 . 查询时间(0.369 秒)
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/22
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/15
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院王琳教授团队与北京师范大学朱重钦教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表题为“Growth of millimeter-sized 2D metal iodide crystals induced by ion-specific preference at water-air interfaces”的研究论文。我校硕士毕...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/12
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/7
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/2/29
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/1/30
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展（图）
有机框架材料 半导体材料
2024/1/24
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性，导致sp2c-COFs合成困难并限...
宁波材料所在sp2碳共轭有机框架聚合物新材料设计制备方面取得重要进展（图）
有机框架 聚合物 半导体材料
2024/1/10
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出广阔的应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借其拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性导致sp2c-COFs合成困...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
中国科学技术大学揭示半导体材料中多体效应主导的超快亮-暗激子转化
半导体材料 多体效应 超快亮-暗激子转化
2023/12/25
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、国际功能材料量子设计中心赵瑾教授、郑奇靖副教授基于自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD，研究了锐钛矿TiO2中的亮-暗激子转化的动力学过程，揭示了多体效应在其中起到的重要作用。最近，该成果以“Ultrafast many-body bright-dark exciton transition in anatase TiO2”为题，发表...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
王洋，复旦大学材料科学系青年研究员，研究方向：n型聚合物半导体材料分子设计合成及其在有机场效应晶体管中的应用；本征柔性的聚合物半导体材料的设计合成及在柔性电子中的应用；新颖的共轭聚合物合成方法研究。