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2023年4月19日下午，德国国家工程院院士、欧洲科学院院士冯新亮教授名誉教授聘任仪式暨IAM星火大讲堂在南京工业大学科技创新大楼学术报告厅举行。中国科学院院士、俄罗斯科学院外籍院士、美国国家工程院外籍院士、IAM学科带头人黄维院士，校党委常委、副校长凌祥，人事处处长王曙光，柔性电子（未来技术）学院党委书记马明辉、院长陈永华及200余位师生代表参加了活动。
北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作，揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制，深入理解高压调控的光学跃迁演化过程，为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》（Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
中国科学院物理研究所专利：一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用
中国科学院物理研究所专利：具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
中国科学院物理研究所专利：一种亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用
中国科学院物理研究所专利：一种通过重复利用黑硅清洗液对硅片进行制绒的方法
全知觉，南昌大学未来技术学院副研究员，南昌大学材料科学研究所所长，从事专业领域：半导体材料与器件、半导体物理。在研国家基金项目简介：氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究；项目号：11674147；直接经费66万；执行年限：2017.01-2020.12.；简介：该项目主要是采用理论与实验相结合的方法，研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响，建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型；提出了“...
王光绪，山东省昌乐县人，博士，研究员，南昌大学“赣江特聘教授”，国家硅基LED工程技术研究中心副主任，南昌硅基半导体科技有限公司总裁，国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省重大人才工程称号获得者，南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人，南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获江西省科技进步一等奖(排名第一)，“...
高江东，南昌大学未来技术学院助理研究员，从事专业领域：硅基氮化镓发光半导体材料生长与器件物理。在研基金项目简介：铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究。简介：由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象，使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场，造成发光效率下降；本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析，获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息，进而估计电子与空穴的有效复...
湖南师范大学物理与电子科学学院杨凯科教授在SCIENCE CHINA Physics,Mechanics & Astronomy上发表最新研究成果（图）
杨凯科 SCIENCE CHINA Physics Mechanics & Astronomy 半导体材料 半导体器件
2023/4/3
半导体材料是现代光电和微电子信息技术的基础。后摩尔时代半导体器件尺寸不断缩小和集成电路晶体管数目成倍增加，有效地热耗散和热控制成为微处理器、光伏、热电等设备高效率稳定工作的重要保障。如何调控半导体材料热导率和增强热力学稳定性是需要解决的一个关键科学技术问题。近日，我院杨凯科教授与中国科学院半导体研究所邓惠雄等人在SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronom...
方文卿，男，研究员，64年生，83年毕业于复旦大学激光物理专业，88年硕士毕业于中科院安徽光学精密机械研究所—光学/新型激光器方向。有过电真空、激光器、单片机、氮化物LED、半导体厂房设计/建造/厂务、眼科工程师、MOCVD在线监测仪器开发等方面的经历；自感动手能力强，思路开阔，属赣鄱英才555工程的入选者；代表性的工作有：硅衬底LED外延的最主要发明人之一，晶能光电的最主要创始人之一；MOCVD...