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中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/22
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
a-Si:H材料 差分SPV测量 扩散长度
2009/9/23
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
科学家发明无干扰测量纳米材料张力新方法
无干扰测量 纳米材料
2009/1/14
德国和西班牙两国科研小组合作，利用红外线纳米近场显微镜发明了一种无干扰检测纳米半导体材料张力的新方法，这一新方法为科学家研究半导体材料的物理性能，以及测量纳米级半导体元器件的性能提供了新的可能。