搜索结果: 106-120 共查到“知识要闻 半导体技术”相关记录1067条 . 查询时间(3.818 秒)
近日，苏州可川电子科技股份有限公司(简称可川电子)发布对外投资设立控股子公司的公告，公司为把握全球半导体行业光芯片、光模块产业发展机遇，公司计划与自然人吕志远签署《英特磊半导体技术(上海)股份有限公司之股东协议》(以下简称“《股东协议》”，共同发起设立英特磊，主要从事光通信模块及激光传感器等业务。
2023年6月14日，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授沈波教授受南方科技大学深港微电子学院与材料科学与工程学院联合邀请，于工学院北楼506举办讲座，报告主题为《氮化物宽禁带半导体大失配和缺陷控制》。沈波教授在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上，主要讨论两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂: (2)Si...
近日，天津赛米卡尔科技有限公司和天津华慧芯科技集团有限公司宣布达成战略合作。双方将在GaAs基光电器件的设计研发和工艺创新等多个方面展开深度合作，共同推进半导体芯片领域的发展和进步。
东南大学集成电路学院正式揭牌（图）
东南大学 集成电路
2023/6/7
2023年 6月6日下午，东南大学建校121周年之际，东南大学集成电路学院正式揭牌。邓中翰院士、黄维院士、丁荣军院士、刘永坚院士、吴汉明院士、崔铁军院士，江苏省教育厅厅长、党组书记、省委教育工委书记江涌，无锡市市委副书记、市长赵建军，东南大学党委书记左惟，东南大学校长黄如院士，副校长黄大卫、金石等出席揭牌仪式。相关企业代表，校友代表，兄弟院系代表，学校各职能部处和相关学院的老师同学参加了活动。东南...
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对整个集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对我国集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工调控，满足射频、存储等领域的应用需求。
近期，浙江大学微纳电子学院前沿所的徐杨教授、俞滨教授和Srikrishna Chanakya Bodepudi特聘研究员以“后摩尔硅光电子学用石墨烯”为题，在WILEY出版了一本英文专著。基于半导体硅的制造技术已经涵盖了整个集成电路和电子工业的各个方面，并且将继续在人工智能和神经形态计算等新兴领域占据主导地位。其中，电子器件的小型化是推动摩尔定律发展的主要路径。然而这种追求高效率，高性能，小器件面...
南方科技大学深港微电子学院参加ISEDA2023（图）
南方科大 深港微电子 ISEDA 模拟电路
2023/5/17
2023年5月8日至11日，首届International Symposium of EDA(ISEDA 2023)在中国南京举办。会议由EDA开放创新合作机制(EDA²)和中国电子学会电子设计自动化专委会共同主办，北京大学、东南大学、清华大学及西安电子科技大学协办，IEEE/CEDA、ACM/SIGDA、国家自然科学基金委员会信息科学部(NSFC)、中国电子学会(CIE)、“后摩尔新器...
中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展（图）
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测，但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷，使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力，在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力，被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料（如典型代表Mn3Sn）集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
2023年5月9日，由中国电子学会主办的第四届集成电路EDA设计精英挑战赛总决赛落下帷幕，南京邮电大学集成电路科学与工程学院“E往无前”团队与清华大学、北京大学、东南大学等8支队伍角逐，获全国一等奖并首捧“菁英杯”，创造了在该项赛事上的突破。我校成为继清华大学、北京大学、东南大学、西安电子科技大学以来第五所在该项赛中捧杯的高校。
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展（图）
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展（图）
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展（图）
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/5/9
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
2023年5月6日下午，南通市崇川区举行纪念“五四”运动104周年暨首届十大杰出青年颁奖典礼。活动表彰了区“两红两优”代表、区十大青春榜样、区十大杰出青年。南京邮电大学集成电路科学与工程学院姚佳飞副教授（南京邮电大学南通研究院执行副院长）荣获“首届崇川区十大杰出青年”荣誉称号。
