搜索结果: 1-6 共查到“知识要闻 半导体加工技术”相关记录6条 . 查询时间(3.021 秒)
近日，中国电科43所“活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装”先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先进水平。该工艺应用于三代半导体领域，43所在此技术基础上进一步开发的多款AMB基板一体化封装产品，实现航空航天领域的国内首次应用。
近日，合肥工业大学微电子学院先进半导体器件与光电集成实验室利用纳米加工的方法制备出直径约为45纳米的硅纳米线阵列结构，并利用单层石墨烯作为透明顶电极，获得了一种基于石墨烯/小尺寸硅纳米线阵列结构的自驱动紫外光电探测器。器件分析表明，该器件对紫外光较为敏感，但对可见光和红外光等其他入射光却不敏感，典型的抑制比为25（图1）。另外，该器件365 nm光照下的响应度、比探测率和外部量子效率分别估计为0....
中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权
中芯国际 半导体结构及其制造方法 专利授权
2021/7/15
国家知识产权局消息显示，中芯国际“半导体结构及其制造方法”专利获授权，授权公告日为2021年7月13日。该专利申请号为2016107563247，授权公告号为CN107785422B。
光刻是一种高精度制造技术，广泛应用于半导体行业。基于光刻的硅基电子制造工艺已达到5纳米技术节点，单颗芯片上晶体管数量已达百亿级。相比之下，基于溶液法加工的有机电子学微型化远远落后于硅基电子学。现有印刷有机电路的晶体管密度往往只有60 units cm-2。通过光刻加工有机电路所有部件（如有机半导体、电介质和导体）的全光刻工艺方案无疑是推进有机电子学微型化和高密度集成的有效手段。
2020年1月15日，中国科学院2021年度工作会议在北京召开，会上宣读并表彰了中科院2020年度科技促进发展奖，物理所碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队获奖。碳化硅 (SiC) 晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握 SiC 晶体生长和加工技术。SiC 晶体国产化，对避免我国宽禁带半导...
2020年6月22日，中科院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所旗下长春光华微电子设备工程中心有限公司（光华微电子）宣布研制成功国内首台商用12英寸全自动晶圆探针台。
光华微电子公司是中国科学院长春光学精密机械与物理研究所机电工程研究部于2002年转制而成立的一家高科技股份有限公司，近20年来专注于被动电子元件和微电子设备的研发、生产，其主要产品分布在晶片电阻生产设备、半导体生产设备、激光精细...