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中国科学院金属研究所专利：一种稀土掺杂的纳米SrAl2O4材料及其制备方法
沈阳工程学院新能源学院牛微副教授（图）
沈阳工程学院新能源学院 牛微 副教授 TiO2功能材料
2023/9/14
牛微博士，副教授，新能源学院应用化学专业教师，承担火电厂水处理技术课程授课和课程建设任务。
沈阳工程学院新能源学院唐坚副教授（图）
沈阳工程学院新能源学院 唐坚 副教授 光电转换单晶体材料 新晶体材料
2023/9/14
唐坚博士，副教授，新能源学院应用化学系主任，辽宁省“百千万人才”工程万层次人才，辽宁省化工学会理事。
中国科学院金属研究所专利：锆铌铝硅碳固溶体材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铌铝硅碳 固溶体材料
2023/9/14
本发明涉及陶瓷材料领域,具体为一种锆铌铝硅碳固溶体材料及其制备方法。锆铌铝硅碳固溶体材料的化学式为(Zr1-zNbz)2(Al1-ySiy)4C5,其中,Nb取代Zr的原子摩尔取代量z的取值范围为0＜z≤0.3,Si取代Al的原子摩尔取代量y的取值范围为0＜y≤0.2。首先,以锆粉、铌粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装入石墨模具中冷压成型,在通有保护气氛的热压炉内烧结,获得锆铌铝...
中国科学院金属研究所专利：一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 尖锐端头 碳纳米管
2023/9/14
一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术,特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备,阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉蒸发,碳原子向阴极沉积,并通过硅团簇的掺入等原因,在阴极处沉积得到尖锐端头碳纳米管。这种结构具有纳米量级的尖端及数十纳米到数百纳米量级的底座,这种特殊的形貌特征及电弧法所赋...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：矿物绝缘电缆的陶瓷封头
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 矿物绝缘电缆 陶瓷封头
2023/9/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：矿物绝缘电缆的陶瓷封头
本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术,具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备；阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,通过不锈钢板上的外加引线对电弧区施加电场。首先施加电场,而后起弧放电,石墨、催化剂、生长促进剂共蒸发,生成单/双壁碳纳米管；电场作用下,每根单/双壁碳纳米管表面均带有电荷,管与管之间的静电排斥力...
本发明涉及硼化物陶瓷领域,特别提供了一种在较低温度下,以三元层状碳化物钛铝碳(Ti3AlC2)作为烧结助剂制备致密的二硼化钛(TiB2)块体材料的方法,可以解决二硼化钛陶瓷难烧结的问题。采用不同质量比的TiB2粉和Ti3AlC2粉为原料,原料经过物理机械方法混合5～40小时,以5～20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体作为保护气氛加热至1400℃～1600℃原位反应0.5～4小...
中国科学院宁波材料所氧化物薄膜晶体管人工光电突触研究取得进展（图）
宁波材料 氧化物 薄膜晶体 人工光电
2023/9/13
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：双粒径分布的球形纳米二氧化硅材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种陶瓷双电容式压力变送器电路
中国科学院金属研究所专利：锆钛铝硅碳固溶体材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆钛铝 硅碳 固溶体材料
2023/9/12
本发明涉及陶瓷材料领域,具体为一种锆钛铝硅碳固溶体固溶体材料及其制备方法。锆钛铝硅碳固溶体材料的化学式为(Zr1-xTix)2(Al1-ySiy)4C5,其中,Ti取代Zr的原子摩尔取代量x的取值范围为0＜x≤0.5,Si取代Al的原子摩尔取代量y的取值范围为0＜y≤0.2。首先,以锆粉、钛粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装入石墨模具中冷压成型,在通有保护气氛的热压炉内烧结,获得...
本发明涉及三元层状陶瓷钛硅碳材料领域,具体为一种提高高温结构陶瓷-钛硅碳高温力学性能与高温抗氧化性的方法。通过制备原位反应生成的Nb固溶的钛硅碳材料来提高高温力学性能与高温抗氧化性能,其中：钛硅碳陶瓷指三元层状陶瓷Ti3SiC2或含固溶Al的Ti3(SiAl)C2,Nb固溶的钛硅碳材料指在Ti位置上固溶Nb。在Ti位置上固溶0～10at.％Nb,从而形成(Ti1-xNbx)3SiC2或(Ti1-x...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法