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中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
中国科学院金属研究所 专利 刻蚀基板法 外延定向生长 氮化物 纳米片网络
2023/11/20
中国科学院金属研究所专利：一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
中国科学院金属研究所专利：一种磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 磁性 金属颗粒 碳纳米管
2023/11/20
本发明涉及碳纳米管制备技术,具体为一种磁性金属(铁、钴、镍)颗粒修饰 碳纳米管制备方法。该方法采用有机金属化合物为碳源和催化剂,其同时作为碳 源和催化剂前驱体,有机金属化合物为有机铁、钻或镍的化合物,有机金属化合 物催化剂快速升华并与含硫生长促进剂在气态下充分混合均匀；然后,在缓冲气 体夹带下进入反应区生成磁性金属颗粒修饰碳纳米管。其中,硫与机金属化合物 中铁(钴、镍)摩尔比为0～1/4。本发明通...
本发明涉及一种表面富硅多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用表面富硅多孔碳化硅陶瓷作为载体,使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源,原位水热合成。由于多孔碳化硅陶瓷表面硅层的存在,使分子筛晶体优先在多孔碳化硅陶瓷表面形核,固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,分子筛与多孔...
中国科学院金属研究所专利：一种碳纳米管宏观体的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳纳米管 宏观体
2023/11/17
本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法,适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂,在气态下充分混合均匀,进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相,随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上,从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜...
本发明提供一种PtCo纳米空心球、其制备方法及应用。将表面活性剂溶解在水中，依次加Pt和Co过渡金属盐，在冰浴的条件下，加入还原剂，再升温到20-50℃继续反应10-30分钟，经洗涤、干燥、得到PtCo纳米空心球。该方法操作简单，反应迅速，低温反应，易于放大合成，所制备的纳米空心球壳层厚度为1-2nm；所制备的纳米空心球可应用于催化和燃料电池等领域。
一种应用于环己基过氧化氢分解反应的功能化六方中孔氧化硅（HMS）材料，该材料表面表面固载具有分解环己基过氧化氢能力的一种或几种金属元素。该材料可在室温条件下采用溶胶-凝胶法合成。在相对较低的温度下，以该材料为催化剂，液相催化分解环己基过氧化氢，具有较高的催化活性。与现有催化剂相比，本发明所用的催化剂具有高效，廉价，使用方便等特点。
本发明的目的在于提供一种用于超级电容器的活性石墨烯电极材料及其制备方法。这种活性石墨烯电极材料制备方法的特征为：在保护性气氛中将与活化剂混合的氧化石墨烯在一定温度范围内进行还原与活化，然后经洗涤、过滤、干燥得到活性石墨烯。本发明所涉及制备活性石墨烯的方法，具有生产效率高的特点，适合于活性石墨烯的工业化大规模生产。采用本发明所涉及方法制备的活性石墨烯在0.05A/g电流密度下的比电容达193F/g，...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种智能节能氧化石墨烯复合纸及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 碳纤维 氧化石墨烯 复合纸
2023/11/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种智能节能氧化石墨烯复合纸及其制备方法
本发明涉及陶瓷固溶体材料及制备方法,具体为钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料及其制备方法。采用元素粉原位合成钛铪硅铝碳(Ti1-xHfx)3(Si1-yAly)C2、钛铪铝碳(Ti1-xHfx)3AlC2、钛锆铝碳固溶体(Ti1-xZrx)3AlC2,其中x的取值范围为0＜x≤0.07,y的取值范围为0＜y≤0.10。首先,以钛粉、铪粉、锆粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装...
中国科学院金属研究所专利：一种在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铝碳 陶瓷表面 硅化物涂层
2023/11/13
本发明属于表面工程技术,具体地说是一种在锆铝碳(Zr2Al3C4和Zr3Al3C5)陶瓷表面形成硅化物涂层的方法。该方法用硅粉和氟化钠粉混合而成的固体粉末混合物为渗料,将锆铝碳陶瓷材料包埋在渗料中,在惰性气体保护下,以5～30℃/min的升温速度、在900～1300℃条件下、保温0.5～5小时,进行热扩散处理,然后炉冷至室温,即在样品表面形成以二硅化锆-碳化硅涂层。相同氧化条件下涂层的氧化增重比锆...
中国科学院金属研究所专利： 一种制备硼掺杂各向同性热解炭材料的设备
中国科学院金属研究所 专利 硼掺杂 热解炭材料
2023/11/13
本实用新型涉及热解炭材料领域,具体为一种制备硼掺杂各向同性热解炭材料的设备。该设备具有沉积装置以及与沉积装置连通的气体流量控制系统,所述沉积装置为锥形石墨床沉积装置,反应器下端开口处设有气体分配板,气体分配板中心设有倒锥形开口,气体分配板上端为筛网结构。本实用新型设计了沉积装置和气体流量控制系统,这一设计实现了硼在各向同性热解炭材料内的有效添加和均匀分布,为制备具有优异性能的硼掺杂各向同性热解炭材...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝氮 陶瓷材料
2023/11/13
本发明涉及高温结构陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备铪铝氮(Hf3AlN)陶瓷材料的方法,解决现有的铪铝氮陶瓷材料制备困难、不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和AlN粉或Hf粉、Al粉和HfN粉为原料,原料经过球磨5-50小时,以5-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空下)的热压炉中以2-50℃/min的升温速率加热至1200...
本发明涉及对氧化石墨进行功能化，主要提供了一种表面羧基化的层状氧化石墨材料及其制备方法。制备步骤如下：1）将石墨进行强氧化处理（浓硫酸、浓磷酸和高锰酸钾混合氧化剂，30～50℃搅拌反应12～24小时），经过洗涤和干燥得到粉末状氧化石墨；2）使用NaBH4对超声剥离的层状氧化石墨进行还原得到多层石墨烯；3）利用重氮化反应对石墨烯进行功能化，得到羧基化的石墨烯材料。本发明制备工艺简单，成本低，能够在温...
中国科学院金属研究所专利：一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 硅陶瓷 表面分子筛 涂层材料
2023/11/11
本发明属于分子筛涂层材料的制备技术,具体为一种多孔碳化硅陶瓷表面分子筛涂层材料的制备方法。采用多孔碳化硅陶瓷作为载体,使用硅块、石英、硅铝原子比可调的硅铝复合氧化物烧结粉体等固体原料作为硅源或硅铝源,原位水热合成。多孔碳化硅陶瓷表面具有微孔结构,固体硅源或硅铝源的使用使供给晶核长大的硅源或硅铝源释放速度可控。这样制备的分子筛涂层在碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,硅铝比可以精确控制,分子筛与多孔碳化硅陶...
中国科学院金属研究所专利：一种石墨烯基柔性超级电容器及其电极材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 石墨烯基 超级电容器 电极材料
2023/11/11
本发明涉及一种石墨烯基柔性超级电容器及电极材料的制备方法,该方法包括：(1)采用不同浓度石墨烯水分散液,将该分散液通过滤膜过滤形成膜状产物,在滤膜和膜状产物干燥后,将膜状产物从滤膜上剥离,获得石墨烯薄膜；(2)以石墨烯薄膜作为电极材料,硫酸分别与导电聚合物或过渡金属氧化物的水溶液为电解液,采用恒电位电化学沉积,在石墨烯薄膜表面沉积导电聚合物或过渡金属氧化物,制备石墨烯基复合薄膜；(3)以石墨烯基复...