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本发明公开了一种无金属催化制备纳米碳材料的新方法。采用碳化硅高温热分解法，通过调变制备过程中的气氛实现了包括碳纳米管和石墨烯等纳米碳材料的高效、可控制备。此方法能够制备不含金属催化剂的高纯相纳米碳材料，从根本上克服了金属对纳米碳材料物理化学性质的影响。是一种简单、高效、重复性好的制备纳米碳材料的新方法。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种碳纳米管泡沫材料的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 碳纳米管 泡沫材料
2024/1/11
本发明提供了一种碳纳米管泡沫材料的制备方法。该方法以廉价的高分子泡沫为模板，通过控制实验条件使催化剂的原位生成、高分子模板的部分热裂解去除以及碳纳米材料的生长等过程同步进行，实现了碳纳米管泡沫的高效生长，其中碳纳米管沿着碳骨架三维方向缠绕交织成网状结构且具有多尺寸分布的孔径，所得材料具有大的比表面积和可控的孔隙率，良好的疏水性，优异的导电性，独特的空心骨架结构，在复合材料、传感、油水分离等领域具有...
中国科学院金属研究所专利：氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅 单壁碳纳米管 纳米电缆
2023/11/28
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳...
中国科学院金属研究所专利：一种磁性金属颗粒修饰碳纳米管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 磁性 金属颗粒 碳纳米管
2023/11/20
本发明涉及碳纳米管制备技术,具体为一种磁性金属(铁、钴、镍)颗粒修饰 碳纳米管制备方法。该方法采用有机金属化合物为碳源和催化剂,其同时作为碳 源和催化剂前驱体,有机金属化合物为有机铁、钻或镍的化合物,有机金属化合 物催化剂快速升华并与含硫生长促进剂在气态下充分混合均匀；然后,在缓冲气 体夹带下进入反应区生成磁性金属颗粒修饰碳纳米管。其中,硫与机金属化合物 中铁(钴、镍)摩尔比为0～1/4。本发明通...
中国科学院金属研究所专利：一种碳纳米管宏观体的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳纳米管 宏观体
2023/11/17
本发明涉及碳纳米管的制备技术,具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法,适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂,在气态下充分混合均匀,进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相,随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上,从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：二氧化硅包覆碳纳米管及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳纳米管
2023/10/16
本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域,具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法,以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体,在高的氢气载气流量下,生长出高抗氧化性碳纳米管,同时通过调控加入硫生长促进剂的量,实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长,获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管,单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：碳纳米管场发射阴极及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种碳纳米管分散的方法
中国科学院金属研究所 专利 碳纳米管 分散
2023/9/28
本发明涉及碳纳米管的分散领域,具体为一种新的碳纳米管分散方法,适用于碳纳米管在水及各种有机溶剂中均匀、稳定地分散,解决了现有技术中使用添加剂降低碳纳米管间电热传输性能或功能化破坏碳纳米管结构的难题。本发明将碳纳米管在以发烟硫酸或氯磺酸为代表的超强酸中插层、溶胀,然后经硝酸选择性功能化所含碳质副产物,即可自发分散到水及乙醇、丙酮等常用的有机溶剂中。该方法分散的碳纳米管在溶剂中大多以单根或极小管束的状...
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管的高效、简单、可工业化的提纯方法。将化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管均匀置于水平加热炉内,在空气气氛及无定形炭快速氧化温度下,进行5-20h氧化；将氧化后的样品浸泡于盐酸溶液中去除催化剂颗粒并用去离子水多次清洗；干燥后,可得到纯净的单壁碳纳米管样品。该提纯方法具有简单、大量、可工业化且适用所有化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管及多...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：碳纳米管阴极及其制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 碳纳米管 阴极
2023/9/15
中国科学院深圳先进技术研究院专利：碳纳米管阴极及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 尖锐端头 碳纳米管
2023/9/14
一种尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。本发明涉及碳纳米管的制备技术,特别提供了一种电弧放电法合成具有尖锐端头碳纳米管结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式制备,阳极为由石墨、硅粉压制而成的消耗性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉蒸发,碳原子向阴极沉积,并通过硅团簇的掺入等原因,在阴极处沉积得到尖锐端头碳纳米管。这种结构具有纳米量级的尖端及数十纳米到数百纳米量级的底座,这种特殊的形貌特征及电弧法所赋...
本发明涉及单分散单/双壁碳纳米管的制备技术,具体为一种具有小管束尺寸的单/双壁碳纳米管结构的制备方法。采用原位施加电场—阴、阳极直流电弧放电的方式制备；阳极为由石墨、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极,通过不锈钢板上的外加引线对电弧区施加电场。首先施加电场,而后起弧放电,石墨、催化剂、生长促进剂共蒸发,生成单/双壁碳纳米管；电场作用下,每根单/双壁碳纳米管表面均带有电荷,管与管之间的静电排斥力...
本发明涉及异质结碳纳米管垂直阵列结构的可控制备领域,具体为一种具有异质结碳(氮掺杂/未掺杂)的碳纳米管垂直阵列结构的可控制备方法。异质结也指分子内节,是由两种不同类型的碳纳米管即氮掺杂和未掺杂碳纳米管在连接处形成。以沉积在Si基片或SiOX/Si基片上的铁为催化剂,利用化学气相沉积法,在碳纳米管垂直阵列生长过程中,适时加入氮源,获得氮掺杂/未掺杂的碳纳米管异质结垂直阵列,并可对异质结的长度、个数和...
中国科学院金属研究所专利：低温气相宏量生长高质量、平直碳纳米管的方法及装置