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西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（一）
西安理工大学 半导体集成电路 课件 第4章 MOS晶体管及反相器
2014/8/26
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器（一）。
西安理工大学半导体集成电路课件第9章 MOS逻辑功能部件。
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数，对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件，被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模，该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理，具有良好的精确性和收敛性，这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电...
新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作
力敏效应 MOS晶体管 灵敏度 功耗
2010/3/31
随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求，力敏传感器再次成为研究的热点。压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选。研究表明，在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化，具有类似压敏电阻的力敏效应。本文基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器。该器件在与传统...
计算MOS器件应力的简单方法
MOS器件 机械应力 Raman谱法
2009/9/23
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
Statistical Model of Hot-Carrier Degradation and Lifetime Prediction for P-MOS Transistors
Hot-carrier P-MOS transistor lifetime prediction
2009/7/28
Along with advances in microelectronics, and computer and space technologies, device dimensions are becoming smaller; as a result, hot-carrier effect, lifetime prediction, and reliability become more ...
6H－SiC MOS结构电特性及其辐照效应的研究
SiC MOS结构 辐照 平带电压
2009/3/26
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V。
随着大规模集成电路集成度的不断提高，MOS器件的尺寸已经小到微米和亚微米的量级。按等比例缩小原则，栅SiO_2的厚度已经减小到2-10nm。当今的集成电路工艺制备出低可动离子及低原生陷阱密度的高质量SiO_2薄膜已不十分困难。但是，在小尺寸器件的应用过程中，由于高电场的作用，薄栅SiO_2体内以及Si/SiO_2界面产生新生陷阱电荷，导致器件性能的改变，从而严重影响了MOS集成电路的可靠性。这些新...
纳米MOS器件RTS噪声测量与分析
随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器
2009/1/22
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法．应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列，采用逐点差分和高斯函数拟合方法，提取了随机电报信号噪声的相对幅度，再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数．通过对90nm MOS器件的测量分析，结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法，而且在相同精度要求下，需要的采样点仅为传统方法的1/10．在随机电报信号时常数较小...
国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
晶体管 国产MOS场效应
2008/12/11
阐述了引起MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对p沟MOS晶体管所做的加速试验的结果。对国产MOS晶体管的阈值电压进行了BT试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂移的平均值随应力时间的变化,从而确定漂移机构。
P-MOS多晶硅电路
多晶硅电路 无静态功耗
2008/12/1
由于P型多晶硅TFT的活化温度低，热载流子影响小，具有很好的稳定性；制备P型器件与CMOS器件相比，可省去两块N、P注入的掩膜光刻过程和一道N型杂质的注入工艺。该项目用全P型TFT，采用三相D触发电路结构，设计和研制出几乎没有静态功耗的PMOS多晶硅显示驱动电路，在三组递次循环电压脉冲信号的作用下，可输出移位正确的电压脉冲信号；用金属诱导晶化多晶硅做有源层，比激光晶化有高的效益/成本比；全PMO...
MOS智能型开关电源功率集成电路
集成电路开关 电源功率 集成电路 自动控制
2008/10/30
1A，导通阻抗<2Ω，并具有过流过 压保护功能，低压控制部分的CMOS门电路、CMOS运算放大器、电压比较器等均满足脉宽调制电路的要求，该电路已成功地应用于采用脉宽调制的开关电源，性能良好。
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论. 晶体管分成两个区域，源区和漏区. 每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区. 把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程，并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性，得到在源区和漏区内解析方程. 典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅. 用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内...
2004年12月24日上午，清华大学电子系《MOS集成电路设计与实践》课程教学成果鉴定会在甲所举行。鉴定委员会认为，该课程对研究生的培养是全面的，课程在培养人才的同时，积累了宝贵的教学经验和有科研价值的教学成果，推动了学科发展，为研究生实践课程的发展途径作出了非常有意义的而且是卓有成效的探索。
Characterization of Series Resistances and Mobility Attenuation Phenomena in Short Channel MOS Transistors
MOS Transistor Surface roughness Effective mobility Series resistance
2001/3/19
The aim of this work is therefore to propose an original method especially conceived for the extraction of the series resistance Rsd. Using the approach of the Surface Roughness Scattering which enabl...