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中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW）MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数，对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件，被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模，该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理，具有良好的精确性和收敛性，这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电...
计算MOS器件应力的简单方法
MOS器件 机械应力 Raman谱法
2009/9/23
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
随着大规模集成电路集成度的不断提高，MOS器件的尺寸已经小到微米和亚微米的量级。按等比例缩小原则，栅SiO_2的厚度已经减小到2-10nm。当今的集成电路工艺制备出低可动离子及低原生陷阱密度的高质量SiO_2薄膜已不十分困难。但是，在小尺寸器件的应用过程中，由于高电场的作用，薄栅SiO_2体内以及Si/SiO_2界面产生新生陷阱电荷，导致器件性能的改变，从而严重影响了MOS集成电路的可靠性。这些新...