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中国科学院深圳先进技术研究院专利:双粒径分布的球形纳米二氧化硅材料及其制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利:六方氮化硼的制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:一种陶瓷双电容式压力变送器电路
本发明涉及陶瓷材料领域,具体为一种锆钛铝硅碳固溶体固溶体材料及其制备方法。锆钛铝硅碳固溶体材料的化学式为(Zr1-xTix)2(Al1-ySiy)4C5,其中,Ti取代Zr的原子摩尔取代量x的取值范围为0<x≤0.5,Si取代Al的原子摩尔取代量y的取值范围为0<y≤0.2。首先,以锆粉、钛粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装入石墨模具中冷压成型,在通有保护气氛的热压炉内烧结,获得...
本发明涉及三元层状陶瓷钛硅碳材料领域,具体为一种提高高温结构陶瓷-钛硅碳高温力学性能与高温抗氧化性的方法。通过制备原位反应生成的Nb固溶的钛硅碳材料来提高高温力学性能与高温抗氧化性能,其中:钛硅碳陶瓷指三元层状陶瓷Ti3SiC2或含固溶Al的Ti3(SiAl)C2,Nb固溶的钛硅碳材料指在Ti位置上固溶Nb。在Ti位置上固溶0~10at.%Nb,从而形成(Ti1-xNbx)3SiC2或(Ti1-x...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
本发明属于无机非金属纳米材料制备与净水环境保护领域,具体为一种高比表面积的纳米水合氧化铈基吸附材料及其制备方法和在除砷方面的应用,可一步除去水中三价砷和五价砷,可以有效解决目前水中砷超标的问题。利用铈盐(或铈盐和其他金属盐混合)与碱在水(或非水溶剂)中发生沉淀反应,经干燥后得到水合氧化铈基吸附材料。该制备方法工艺简单,所得的水合氧化铈基吸附材料具有较大的比表面积和较强的除砷能力,适用pH范围宽,性...
本发明涉及玻璃炭材料领域,具体为一种硼掺杂玻璃炭材料及其化学气相沉积制备方法。利用化学气相共沉积工艺,以石墨作为沉积基体,沉积压力为常压或略高于1atm,沉积温度为1100~1400℃,在达到设定的沉积温度后,同时通入碳源和硼源气体,在高温化学气相沉积炉中实现硼碳共沉积,制备硼掺杂玻璃炭材料中的硼掺杂含量为2~15at.%。本发明可以制备结构均匀致密、具有良好抗氧化性能的硼掺杂玻璃炭材料,表面光滑...
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种多孔薄壁、高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能高、结构可控的SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法。所述SiC蜂窝陶瓷材料具有连续单一的类似于蜂窝形的整体结构,沿轴向有许多平行的通道,通道的形状可以是三角形、波形等;组成蜂窝结构的单位面积孔数可控制在100~5/cm2之间,孔壁厚度可控制在0.2~2mm之间;孔壁可以为致密结构,也可具有微孔结构;...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。以氧化镥粉(Lu2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4=4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1:(0.8~1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料,所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小...
本发明公开了一种荧光碳量子点(Carbon?dots简称CDs)的制备方法和应用,以甲酸和牛血清白蛋白(BSA)为原料,BSA的氨基与甲酸的醛基的摩尔比为1:1,水热法合成,首先甲酸的醛基与BSA的氨基缩合生成碳氮双键,生成的具有碳氮双键的聚合物自身反应生成碳点,然后用水系膜和葡聚糖G-25凝胶柱分离纯化。该方法制备的碳点粒径小,光稳定性好,激发和发射光谱范围宽,荧光量子产率高,解决了现阶段碳点的...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)块体陶瓷材料的方法。该方法用一定化学计量比的氧化镥粉和二氧化硅粉作为原料,经过球磨机球磨5~50小时,将混合均匀的原料装入石墨模具中,以5~20MPa的压力冷压成型,在通有保护气体(Ar)的热压炉中以2~15℃/min的升温速率加热至1400~1650℃,升温过程的同时加压15~40MPa,原位反应1~3小时,降温...
本发明涉及石墨烯的转移技术,具体为一种低成本无损转移石墨烯的新方法。该方法采用表面覆盖有转移介质的石墨烯和初始基体作为电极,将其放置于电解液中,利用电解过程中在石墨烯电极表面所产生的气泡的推动力及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损分离,然后将覆盖有转移介质的石墨烯无损结合到目标基体表面,去除转移介质后实现石墨烯到目标基体的无损转移。该转移方法对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗,基体可重复使用,...

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