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东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM（图）
东南大学 电子器件 IEDM IEEE
2022/12/30
近日，第68届IEEE国际电子器件年会(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行。东南大学刘斯扬、孙伟锋教授课题组的两项研究成果在此次会议上发表，是东南大学作为第一单位首次在IEDM会议上发表研究成果。
山东大学信息学院陈杰智教授课题组在微电子器件领域顶级国际会议(IEDM 2021)发表闪存存算一体芯片等三项最新研究成果（图）
山东大学信息学院 陈杰智 微电子器件 顶级国际会议 IEDM 闪存存算一体 芯片
2021/12/10
近日，第67届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在线上线下联合举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的三篇研究论文“In-depth Understanding of Polarization Switching Kinetics in Polycrystalline Hf0.5Zr0....
电子科技大学电子科学与工程学院博士生受邀在IEDM 2020 T-ED Special Issue发表文章
电子科技大学电子科学与工程学院 IEDM 2020 T-ED Special Issue 电子器件
2021/4/21
近日，电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）博士生袁章亦安受微电子器件领域顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting （IEDM）程序委员会主席Tibor Grasser邀请，在IEDM 2020 T-ED Special Issue上发表题为“Improved Model on Buried-Oxid...
2020年12月12-18日，2020 IEEE国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）在美国旧金山通过线上召开。电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）在大会上发表题为《An Improved Model on Buried-Oxide Damage for Total-Ionizing-...
近日，第66届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在线上举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的两篇研究论文《Deep Insights into the Failure Mechanisms in Field-cycled Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2Thin F...
微电子学院周鹏教授团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
陈杰智教授课题组论文在微电子器件领域顶级国际会议IEDM上发表
陈杰智 教授 课题组论文 微电子器件 领域 顶级国际会议IEDM 发表
2018/12/7
2018年12月1日至12月5日，第64届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的论文《Computational Design of Silicon Contacts on 2D Transition-Metal Dichalcogenid...
中山大学电子与信息工程学院Kai Wang（王凯）教授课题组论文再次入选微电子领域国际顶尖会议International Electron Device Meeting（IEDM）
中山大学电子与信息工程学院 王凯教授课题组 微电子
2017/11/9
2017年9月26日，我校电子与信息工程学院 Kai Wang（王凯）教授课题组的论文《Mechanical-Field-Coupled Thin-Film Transistor for Tactile Sensing with mN Dynamic Force Detection Capability and Wearable Self-Driven Heart Rate Monitoring ...
山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组关于三维存储器的论文被微电子领域国际顶级会议 IEDM 2017 接收
山东大学信息科学与工程学院 陈杰智教授课题组 三维存储器 微电子领域 国际顶级会议
2017/10/24
近日，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组关于3D NAND闪存存储器可靠性物理机理的研究工作论文被微电子领域的国际顶级会议IEDM 2017 (IEDM，International Electron Devices Meeting，即“IEEE国际电子器件大会”)接收。山东大学信息科学与工程学院为论文第一完成单位，2016级博士研究生武继璇为第一作者。这是山东大学首次以第一作者和通讯作者单...
西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展，首次通过实验系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。日前，在美国旧金山举行的2016年IEEE International Electron Devices Meeting（简称IEDM）会议上报道了该研究成果，并收录...
International Electron Device Meeting (通常简称为IEDM)是IEEE电子器件学会的年会，论文挑选严苛，其学术水平为国际该领域所共识。上海微系统与信息技术研究所一室的科研人员自从2004年发表了打破我国十几年论文荒的第一篇论文之后，又在2006年、2007年和2008年连续发表三篇论文。同一单位能够连续三年发表IEDM论文，在国内仅此上海微系统与信息技术研究所...