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本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院微电子研究所专利：围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 围栅结构 鳍式 半导体器件
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
