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碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法（2006）
腐蚀 碲镉汞 设备
2008/11/5
该发明公开了一种碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法，其主要是利用碲镉汞的含溴氧化剂作为腐蚀液，利用恒定光强照射来加快定向的腐蚀速率和精确控制腐蚀时间，利用在不需腐蚀部分的碲镉汞表面生长反射膜来精确控制腐蚀图形，利用腐蚀时旋转样品和冰水混合物来严格控制恒定的，可重复的腐蚀温度，使其深台面的纵向和横向的腐蚀速率比达8:1，最终得到不同组分、不同导电类型和不同掺杂浓度的碲镉汞样品深台面侧壁...
碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法（2005）
红外双波段探测器 腐蚀方法 碲镉汞腐蚀设备
2008/11/5
本发明公开了一种碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法，其主要是利用碲镉汞的含溴氧化剂作为腐蚀液，利用恒定光强照射来加快定向的腐蚀速率和精确控制腐蚀时间，利用在不需腐蚀部分的碲镉汞表面生长反射膜来精确控制腐蚀图形，利用腐蚀时旋转样品和冰水混合物来严格控制恒定的，可重复的腐蚀温度, 使其深台面的纵向和横向的腐蚀速率比达8:1, 最终得到不同组分、不同导电类型和不同掺杂浓度的碲镉汞样品深台面...
大面积长波碲镉汞光导红外探测器
红外探测器 长波碲镉汞
2008/11/5
该课题组针对器件大面积，长波的特点，深入开展材料、器件物理和器件设计、工艺结构、封装、检测等方面的研究，解决一系列科学技术关键，研制成功红外探测器。其性能为：波长：16～25μm（77K）；探测率：3.48×10^(10)；低温聚光器主件探测：1.38×10^(11)；近室温器件：10.6μm（225K）；探测率：2×10^(9)。该器件可用于红外分光辐射计、国防特性测量、激光制导与测距、光谱特性...
六十元线列碲镉汞长波红外探测器
碲镉汞 红外探测器 多元器件
2008/10/8
该成果攻克了制备高质量晶体件工艺的多项高难度技术，研制成功了高性能光导型单片60元线列碲镉汞长波红外探测器。开发了大面积晶片低损伤减薄、表面处理及纯化膜光敏元的精密成形、延伸电极等工艺，基本建立了一套单片60元线列芯片的集成工艺技术，攻克了无盲点、高精度的芯片拼接关键技术，这是国内碲镉汞多元器件工艺上的重大突破。此外，还研制了器件低阻低噪声抗电冲击的保护电路。该探测器的主要光电性能指标达到80年代...
带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器
碲镉汞 红外探测器
2008/9/26
本实用新型公开了一种带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器，包括：衬底、列阵光敏元、位于光敏元一侧的延伸电极区和另一侧的公共电极区。它的特征是：延伸电极区从碲镉汞材料经至少二个台阶延伸衬底上，使碲镉汞材料到衬底的落差至少下降二分之一，从而形成一个平缓坡度的电极区。由于电极区有一个平缓坡度，因此其上蒸镀的金属膜不易产生断裂，提高了器件的稳定性和成品率。而且可以缩短延伸电极的长度，节省原材料，降低了成本。
碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片
芯片 探测器
2008/9/26
本实用新型公开了一种碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片，芯片由白宝石衬底上固定的碲镉汞材料，在碲镉汞材料表面依次生成氧化层和二氧化硅层，再在二氧化硅层上方，在微小光敏元以外的区域蒸镀一层金属膜组成。所说的微小光敏元的大小根据需要而定。本实用新型的特点是通过增加绝缘层并使电极区域延伸到少数载流子扩散长度之外，来延长光生载流子在碲镉汞材料体内的维持时间，增加其有效寿命，从而提高了器件的性能。该器件特别适用...
碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片
碲镉汞 红外光电探测器 微小光敏元芯片
2008/8/26
该实用新型公开了一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，包括衬底，通过环氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片等器件。在碲镉汞片裸露的侧面覆盖有一侧面钝化层，有了侧面钝化层，探测器的电阻、响应率、探测率、噪声等指标明显优于无侧面钝化层的探测器。
2006年1月9日，全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开，上海技物所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。 碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿，主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学，而且可应用于碲镉汞...
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究
2007/7/28
专著信息
书名
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究
语种
中文
撰写或编译
作者
全知觉,李志锋,胡伟达,叶振华,陆卫
第一作者单位
出版社
红外与毫米波学报,投稿
出版地
出版日期
年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
HgCdTe的材料芯片方法研究