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搜索结果: 1-15 共查到电子科学与技术 自旋相关记录67条 . 查询时间(0.151 秒)
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而,经过二十年的科学探索,人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如,自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释,面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此,中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
中国科学院半导体研究所的朱礼军研究员团队提出了“反演对称破缺的自旋轨道矩超晶格“的概念,并预言此类超晶格的自旋轨道矩效率应随超晶格周期数n线性增长直至无穷大。然而,实验发现[Pt/Co/MgO]n超晶格中存在自旋霍尔角、磁化强度、电阻率、平整度随重复周期数增大而衰退的现象,最高实现了56%的自旋轨道矩效率 [Physical Review Applied 18, 064052 (2022)]。
磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究。
半导体量子器件的制备和自旋态研究。
铁磁半导体异质结构自旋相关性质的第一性原理研究。
半导体量子结构中的自旋量子调控。
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点,相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”(Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS)。CISS在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值和丰富的物理内涵,但是手性与自旋极化相互转换的微观机理一直是激烈争论的科学问题。
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测,但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷,使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力,在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力,被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料(如典型代表Mn3Sn)集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
2023年4月27日下午15:00,“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行,报告由翟亚新教授主讲,廖洁桥副院长主持,学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
自旋电子器件是解决后摩尔时代信息科学“存储墙”等瓶颈的重要选项。作为新原理器件,自旋电子器件如何通过新材料和新原理快速突破性能极限成为当务之急。近年来,亚铁磁和共线反铁磁等反铁磁耦合材料因其超快自旋动力学(~THz)和低退磁场特性成为自旋电子学领域的明星材料,人们暗自期待采用亚铁磁和反铁磁材料发展出优于铁磁的自旋存储器。然而,反铁磁耦合材料究竟如何与自旋流相互作用、能否作为低势垒信息存储介质、能否...
生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性,解决冯·诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而,面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段,基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容;基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操作电路,且耐久性受限,难以满足高频神经元器件的信息整合处理需求。自旋电子器件具有高能效、高耐久性及更丰富...

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