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新型半导体异质结构、硅基纳米结构材料与光电性质研究
异质结构 半导体 纳米结构
2008/8/29
本项目为半导体异质结构，该研究取得了系列重要的创新成果，如：深入研究了化合物半导体异质结构中二维电子气输运与极化性质；研究了Si纳米异质结构与电荷存储、输运行为；首次提出并实现了两种新型半导体异质结构体系等，基项研究所取得的重要突破和创造性成果，在国际同类工作中处于领先水平，受到同行广泛重视，产生很大的国际影响，对新型化合物半导体异质结构、硅基纳米异质结构材料与光电性质研究作出了重大贡献。