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中国科学院微电子研究所专利：一种现场可编程门阵列芯片布局方法
华北电力大学电子技术基础（数字部分）第五版课件第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列
华北电力大学 电子技术基础（数字部分） 第五版 课件 第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列
2012/4/19
华北电力大学电子技术基础（数字部分）第五版课件第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列。
静态随机访问存储器型现场可编程门阵列辐照效应测试系统研制
现场可编程门阵列 辐照效应 测试系统
2009/8/21
在调研静态随机访问存储器型现场可编程门阵列(FPGA)器件空间辐照效应失效机理的基础上，详细论述FPGA辐照效应测试系统内部存储器测试、功能测试及功耗测试的实现原理,给出了系统的软硬件实现方法。所建立的系统可以测试FPGA器件的配置存储器翻转截面、块存储器翻转截面、功能失效截面、闭锁截面等多个参数，其长线传输距离达到50 m以上，最大可测门数达到了100万门,为FPGA辐照效应研究提供了测试平台。
在现场可编程门阵列中的高频反馈数字化算法
高频反馈 高频腔 阻抗
2009/8/21
介绍了高频反馈的基本原理，并依据此原理，提出了在现场可编程门阵列中采用数字算法实现高频反馈的方案，即采用旋转矩阵实现反馈环路中的增益调节和相位调节，然后再与标准信号进行矢量运算。同时，在上海光源的高频系统上进行了相关的实验，测量得到的环路延时为1.2 μs；当加入高频反馈前后，观测到超导高频腔的带宽由3.3 kHz增加到了4.8 kHz，Q值由150 550降到104 130。
AlteraSRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应
SRAM型现场可编程门阵列 总剂量效应 辐射
2008/12/20
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系，研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列（FPGA）器件在60Co γ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明：器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同；不同模块随总剂量的变化关系相似，不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致；总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数。