搜索结果: 1-15 共查到“光电子学与激光技术 脉冲激光”相关记录53条 . 查询时间(0.114 秒)
一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法，基于模拟电路单粒子损伤机制，即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程，充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响，建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
针对对地攻击火箭弹单发毁伤概率低的问题，设计了一种激光周向探测系统，旨在提高对地攻击火箭弹的目标捕获概率。推导了平面目标脉冲激光回波波形的解析式及最小可探测光功率，并结合对地攻击火箭弹的末端弹道特性，建立了激光周向探测系统的弹目交会模型。运用蒙特卡罗算法仿真分析了对地攻击火箭弹采用不同探测系统时目标捕获概率随脉冲激光重复频率和扫描转速的变化规律，探讨了弹速和命中精度对于目标捕获概率的影响，获得最佳...
韩国利用二维新材料开发出宽带超短脉冲激光技术
韩国 二维新材料 宽带超短脉冲激光技术
2018/1/16
韩国科学技术研究院发布消息称，该院联合美国德雷赛尔大学首次在激光领域对二维Mxene材料进行深入研究，共同研发出宽带和飞秒的超短脉冲激光技术。该研究成果发表在国际学术杂志《先进材料》（Advanced Materials）上。二维Mxene材料是由与钛相同的重金属原子和碳原子构成的薄板状的纳米材料，这种纳米复合材料具有良好的导电性和亲水性，与高分子合成后，可广泛应用于超级电容器电极材料、电子波阻断...
设计了一种双探测器结构的窄脉冲激光参数测量探头，解决了大动态测量范围和高速放大电路高增益时信噪比低的矛盾。通过对探头前端的光学特性进行分析，给出了均匀照射时探头前端的照度传递系数，并且对非均匀照射情况下可能的最大模型误差进行了分析，指出增大漫透射陶瓷片与探测器的距离和减小出光孔径有利于降低模型测量误差，减小双探测器偏离光轴的安装距离有利于提高两个探测器的测量一致性。测试表明，对于10 ns脉宽的1...
7.13W全固态1319nm宏微脉冲激光器
激光器 宏微脉冲 锁模
2009/11/3
研制了一台高效率全固态平均功率7.13 W的1 319 nm宏微脉冲激光器。激光器采用热稳Z形折叠腔，增益模块采用自行研制的准连续15个二极管芯片环形泵浦的Nd:YAG模块，采用主动声光锁模器作为锁模元件，并在腔内插入倍频KTP晶体对激光器的输出尖峰进行抑制。为了获得稳定的锁模状态，对激光器腔长进行了精确设计和调节。当激光器腔长与锁模器驱动频率匹配时，获取了宏脉冲重复频率400 Hz、脉宽约190...
飞秒多脉冲激光烧蚀金属过程中的能量剩余现象
飞秒激光烧蚀 多脉冲 能量剩余系数
2009/11/3
提出了描述整个飞秒多脉冲激光烧蚀过程的物理模型,模型考虑了多脉冲烧蚀的新的特点，考虑靶材吸收率随温度的变化和蒸发效应，建立了激光烧蚀不同阶段的热传导方程，给出了相应的定解条件。以金靶材为例，利用有限差分法，求解了热传导动力学方程，分别给出单脉冲和多脉冲作用下相应的靶材电子和离子亚系统的温度演化图像，及多脉冲激光作用下能量剩余系数和脉冲个数的变化规律，发现理论曲线与相应的实验数据吻合较好。研究结果充...
超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性
超短脉冲激光 硅膜 热弹性
2009/8/24
考虑到热电子崩力的影响，在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上，将晶格温度与应变速率相耦合，建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型。在单轴应变条件下，利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2 μm厚硅膜内的载流子温度、晶格温度、载流子数密度、热应力和热电子崩力等的变化情况。结果表明：在低能量密度激光条件下，热弹性效应对半导体材料的影响很小；载流子温度达到峰值的时...
超短脉冲激光辐照硅膜升温效应的模拟研究
超短脉冲激光 硅膜 激光退火
2009/8/24
考虑到载流子和晶格的热容、热导率、弛豫时间等热力学参数随温度非线性变化因素的影响，利用有限差分算法，数值求解了半导体材料自相关热传导模型，讨论了2 µm厚硅膜在波长和脉宽分别为775 nm和500 fs的脉冲激光辐照下的升温规律。数值结果表明：硅膜前表面载流子温度在激光辐照过程的0.69 ps时刻达到最大值，在4.8 ps时刻以后硅膜基本趋于总体热平衡；载流子热容的快速变化以及单光子吸...
超短脉冲激光诱导单晶铜熔化的物理机制
物理机制 熔化 皮秒激光脉冲
2009/8/24
采用校正的分子动力学方法研究了超短脉冲熔化单晶铜的动力学微观机制，建模时将熔化潜热的消耗及自由电子的热传导均考虑在内，使熔化过程的模拟更加真实。皮秒激光熔化单晶铜是一种过热熔化，可归因于液相在固相中的均匀形核。熔沿传播的速度高达5.8 nm/ps ，高于铜中声速。熔化发生在热约束区域内部，导致温度分布不太复杂，且卸载波对应力波的影响与应力约束区域相比较弱。
超强脉冲激光辐照固体靶背表面的渡越辐射
超强脉冲激光 渡越辐射 相干渡越辐射
2009/8/24
在超强脉冲激光与固体靶相互作用中，利用光学CCD相机和光学多道分析仪，分别在固体薄膜靶背表面法线方向测量了渡越辐射（TR）积分成像图案和光谱。测量结果显示：TR空间分布图案呈圆环状，而辐射区域有发散角和光强分布；TR光谱在800 nm附近出现尖峰，是激光的基频波，这一现象归因于超热电子束在输运的过程中产生的微束团而引起的相干渡越辐射；如果考虑超热电子的产生和加热机制，共振吸收和真空加热对超热电子都...
成像法测量脉冲激光远场能量密度的模型及不确定度分析
脉冲激光 能量密度 成像法
2009/8/24
设计了基于漫反射成像法测量脉冲激光远场能量分布的方案，在相机标定的基础上建立了CCD图像灰度值与漫反射板上脉冲激光能量密度对应关系的数学模型，该模型考虑了漫反射板的漫反射率和CCD像元响应度的空间不一致性，并对不同测量位置的离轴角的影响进行了修正。分析表明:CCD灰度值、镜头透过率、漫反射率和CCD响应度的不确定度传播系数为1，镜头光圈数的不确定度传播系数为2,镜头焦距的不确定传播系数随离轴角增大...
脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性
激光辐照 纳米网孔壁 光致荧光增强
2009/8/21
将功率密度约为0.5 J·s-1·cm-2、脉冲宽度约为8 ns、束斑直径为0.045 mm、波长为1 064 nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔，在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构；该结构有很强的光致荧光，其强度比该样品的瑞利散射强；发光峰中心约在700 nm处。在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光，这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用。用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状...
脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟
激光晶化 非晶硅薄膜 多晶硅 有限差分模拟
2009/8/21
根据热传导原理，建立了脉冲激光晶化非晶硅薄膜的理论模型。运用有限差分方法研究了不同激光波长、能量密度等因素对薄膜温度变化及相变过程的影响。计算了不同波长激光器对厚度500 nm非晶硅晶化的阈值能量密度。结果发现，准分子晶化的阈值能量密度最低，但是在同样的能量密度下，熔融深度却不及使用更长波长的激光器。计算并分析了升高衬底温度对结晶速度和晶粒尺寸的影响，模拟结果较好地验证了实验结论和规律。
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脉冲激光入射下介质薄膜双频互相关散射截面及功率展宽
激光散射 双频互相关散射截面 双频互相关函数 功率展宽
2009/8/21
结合特殊的镀金聚酯薄膜表面的粗糙度和半球反射率，依据基尔霍夫近似及粗糙面脉冲散射互相关函数，数值计算了脉冲激光（1.06 μm）在不同入射角照射下该材料薄膜双频互相关散射截面随相干带宽频差和散射角的变化情况。并给出δ脉冲和高斯脉冲波入射下，其散射功率随时间和散射角的波形分布。计算结果表明：该薄膜材料激光双频互相关散射截面在镜反射方向有最大的散射峰值，在非镜反射方向上，其散射值随相干带宽频差的增大迅...