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2023年4月18日,第25届中国集成电路制造年会暨供应链创新发展大会在广州开幕,广东省委常委、副省长王曦,国内集成电路领域的主管部门有关负责同志等出席会议并致辞。半导体所俄罗斯工程院外籍院士、学科带头人庄巍教授受邀参加并作特邀专家报告。
2023年1月31日上午,清华大学材料学院与华为海思研究部学术交流暨合作框架研讨会在逸夫技术科学楼A205举行。会议旨在交流集成电路产业新材料需求和前沿发展方向,促进双方的近-中-长期项目合作,推动我国集成电路产业产学研合作和技术原始创新。
近期,清华材料学院李正操教授课题组,集成电路学院唐建石、吴华强教授课题组与中科院苏州纳米所李清文研究员课题组合作完成的论文《基于后道CNT/IGZO CFET逻辑与模拟型RRAM的单片三维集成混合存算一体架构》(A Hybrid Computing-In-Memory Architecture by Monolithic 3D Integration of BEOL CNT/IGZO-based ...
随着国际半导体行业已经进入了“后摩尔时代”,对微电子新材料和新器件的研发提出了更高要求。以过渡金属硫族化合物(MoS2、WS2等)和黑磷等为代表的二维半导体材料,具有原子级厚度和丰富的能带结构,而且其平面制造工艺与现有的CMOS工艺相兼容,吸引了微电子学术和产业界的广泛关注。对我国当前半导体形势来说,发展基于二维半导体的芯片工艺也具有极其重要的战略意义。
2017年1月11日,量子电子学联合实验室集成电路综合表征研讨会在中科院上海微系统与信息技术研究所长宁园区召开,微系统所副所长、党委副书记、纪委书记俞跃辉研究员、信息功能材料国家重点实验室骨干、上海科技大学物质学院副院长刘志、教授代表、行政人员出席了会议,会议由俞跃辉主持。
美国IBM公司科研人员2006年5月29日宣称,他们开发出一种特殊纳米芯片制造工艺技术,使碳纳米管制成的晶体管在集成电路上“听从安排”。这是碳纳米管计算机研究方面取得的重大突破。

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