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搜索结果: 61-75 共查到电子科学与技术 电子器件相关记录154条 . 查询时间(0.149 秒)
电子科技大学微电子器件课件2-5 PN结的势垒电容。
电子科技大学微电子器件课件2-4 PN结的击穿。
电子科技大学微电子器件课件2-3 准费米能级。
电子科技大学微电子器件课件2-2 PN结的直流电流电压方程。
电子科技大学微电子器件课件2-1 PN结的平衡状态。
电子科技大学微电子器件课件第一章 半导体器件基本方程。
北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授课题组提出利用“金属工程”的策略,通过基于金(Au)设计孔洞状的底层等离激元结构来实现在片光操控。与此同时,由于金膜具有纳米量级的平整度,满足构建顶层有源器件对基片平整度的要求,从而避免机械抛光工艺,简化了制备流程。在制备等离激元结构的同时,采用金制备所有的互联线以及静电栅结构。由于低维半导体材料具有原子层尺寸的厚度,故而器件极...
2018年化学化工学院洪文晶教授课题组在有机分子电子器件的尺寸极限研究取得重要进展。相关研究成果以“Transition from tunneling leakage current to molecular tunneling in single-molecule junctions”为题发表于CellPress旗下的Chem(DOI:10.1016/j.chempr.2018.11.002)。...
2018年12月1日至12月5日,第64届电气电子工程师学会(IEEE)国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting,IEDM)在美国旧金山举行,山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授课题组的论文《Computational Design of Silicon Contacts on 2D Transition-Metal Dichalcogenid...
沈阳工业大学2019年硕士研究生招生考试加试微电子器件工艺考试大纲。
中国科学院微电子研究所高频高压中心在氮化镓高压电力电子器件领域取得突破性进展,提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构,有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度,显著降低系统成本,具有广阔的市场前景。
2018年6月9-12日,由西安交通大学和单晶金刚石电子材料与器件泛太平洋产业联盟主办的“2018单晶金刚石及其电子器件国际研讨会(2018SCDE)”召开。国家“千人计划”特聘专家、西安交通大学宽禁带半导体研究中心主任王宏兴担任此次研讨会主席。来自不同国家和地区的130余位专家学者参加会议。
近日,南京大学电子科学与工程学院王学锋教授、徐永兵教授、张荣教授团队在拓扑自旋电子器件领域取得新进展,通过引入非磁元素掺杂而诱导拓扑绝缘体发生拓扑量子相变,测量到了奇异的三轴各向异性磁电阻,并研制出新型的室温全空间磁传感原型器件。该项研究工作以《拓扑相变诱导(Bi1–xInx)2Se3纳米器件的三轴矢量磁电阻》(Topological Phase Transition-Induced Triaxi...
近日,北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员与彭练矛教授课题组针对超薄柔性电子器件的研究取得重要进展。他们利用碳纳米管网络薄膜作为沟道材料,在超薄柔性衬底上制备出高性能的CMOS电子器件,并成功地将传感集成系统应用于人体信息监测。课题组充分利用碳纳米管电子器件可低温加工的优势,用金属钯和钪作为电极接触,分别注入电子和空穴,在超薄柔性基底上构建CMOS器件和电路,克...
2018年1月29日,清华大学航天航空学院张一慧课题组在《自然-材料》(Nature Materials)期刊以长文形式发表了题为《基于多稳态屈曲力学的可重构三维细微观结构和微电子器件》(Morphable 3D mesostructures and microelectronic devices by multistable buckling mechanics)的研究论文,系统报道了一种利用弹...

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