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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
2020/12/31
微/纳尺度高功率电子器件产热与传热特性
高功率场效应晶体管 多尺度格子-Boltzmann方法 电子声子耦合
2012/11/27
传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程, 此时器件中能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当, 甚至小于声子的特征时间尺度, 不能满足传统传热理论的假设. 本文针对微/纳尺度场效应晶体管的工作过程, 建立描述其内部产热及传热特性的多尺度格子-Boltzmann介观模型, 通过在模型中引入源项去描述器件内部电子和声子的相互作用, 分析计算...
电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法
电子器件的噪声 时间序列分析 高阶统计量
2009/12/9
基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析,表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号,并可以用该方法进行有效区分.研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据.
γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响
脉冲宽度 辐射效应 剂量率
2009/9/29
采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106~109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异。实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。
显微云纹技术在微电子器件力学测量中的应用
云纹法 微电子器件
2009/6/8
电子工业的不断发展促进了电子器件的微小型化,作为新型产品设计基础的微电子器件可靠性分析成为人们非常关注的问题. 力学参数的测量可以为可靠性评价提供有价值的实验依据. 概括总结了显微云纹技术的发展,主要介绍了云纹干涉法和扫描显微镜云纹方法及其在微电子器件全场变形场测量中的应用.
微电子所在有机电子器件研究方面取得新进展
电子器件 研究方面 进展
2009/5/31
在中国科学院、国家自然科学基金委、国家科技部的支持下,微电子所微细加工与纳米技术研究室刘明研究员领导的有机分子电子器件小组长期以来致力于分子电子学中的基本问题的研究,近期在高性能有机场效应晶体管方面取得了最新的研究进展。相关研究成果发表在2009年6月29日的英国皇家学会的知名期刊材料化学(Journal of Materials Chemistry. 2009, advanced article...
太赫兹真空电子器件的研究现状及其发展评述
真空电子器件 高功率微波 太赫兹源
2009/4/22
太赫兹真空电子器件具有输出功率高、可在常温下工作等优点,它在军用、民用领域有着广泛的应用前景。本文介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水平及应用现状,并对其今后发展趋势作了相应的评述。
高频通讯电子器件的微波模块的设计和开发
高频通讯 微波集成电路
2008/11/19
成果的主要内容是设计开发高频通讯用的微波集成电路,如放大器和混频器等。24GHz Mixer 芯片:高频通讯用24G微波集成电路(MMIC)混频器的设计、仿真、流片、和测试,芯片利用的是GaAs PHEMT技术,带有集成的LO放大器。功率放大器芯片:主要技术内容是利用先进的砷化镓芯片工艺生产线提供的双极性晶体管(HBT)以及异质结高速场效应管(PHEMT)工艺条件,自主设计开发微波集成电路(MM...