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电荷耦合器件的60Coγ射线和电子辐射损伤效应
电荷耦合器件 位移损伤 电子辐照
2009/3/13
对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Co γ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Co γ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电...
电荷耦合器件光电响应特性标定研究
电荷耦合器件(CCD) 光电响应特性 小孔衍射
2008/4/28
电荷耦合器件(CCD)光电输入输出响应特性是其用于光束远近场能量分布测量的重要参数,介绍一种新的标定方法——小孔衍射方法:即利用小孔衍射图像的零级谱的能量相对分布作为CCD能量的标准参考输入,依据最小二乘拟合准则,根据CCD的灰度输出标定其响应特性。介绍了数据处理方法并完成了校核实验及误差分析。