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第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约宝鸡凤翔
第三代半导体材料 光电子元器件 宝鸡凤翔
2022/4/6
大连理工大学电信学部黄辉教授让第三代半导体材料首次具备化学催化活性(图)
大连理工大学电信学部 黄辉 教授 第三代 半导体材料 化学催化活性
2020/11/25
半导体材料是信息社会的基石,如用于信息处理的集成电路、用于信息获取的微纳传感器。作为新兴的第三代半导体材料,与第一代的硅材料、第二代的砷化镓材料相比,氮化镓材料具有优异的光电特性和化学稳定性(耐高温耐腐蚀),被广泛应用于功率晶体管和LED照明等领域。但是,氮化镓不具备化学活性,这限制了其在化学传感器领域的应用。此外,与集成电路产业相比,微纳传感器(尤其是化学量传感器)的发展水平远远滞后,是物联网和...
近日,863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
在国家863计划的支持下,由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头,中科院物理所、半导体研究所、浙江大学,瀚天天成电子科技(厦门)有限公司和全球能源互联网研究院共同参与的研发团队成功研制了满足高压SiC电力电子器件制造所需的4-6英寸SiC单晶生长炉关键装备,形成了我国具有自主知识产权的4-6英寸...
为积极有序推进“战略性先进电子材料”重点专项“大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律”项目的组织实施工作,2016年10月23日此专项项目启动会在北京顺利召开。会议由科技部高技术研究发展中心指导,项目牵头单位北京大学主持,共14家支持单位协办召开。