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2022年10月29日,由龙岩学院化学与材料学院与AEIC学术交流中心共同主办的2022年光学技术、半导体材料和器件国际学术会议在院C301会议室召开。马来亚大学Harith Bin Ahmad教授(马来西亚)、阿威罗大学Mário F. S. Ferreira教授(葡萄牙)、新加坡国立大学赵磊副教授(新加坡)、北京交通大学张福俊教授等多位专家学者应邀出席本次会议。本次会议为线上、线下混合会议,在...
研究人员创造一种让复杂半导体材料自行组装的方法
复杂半导体材料 钙钛矿 太阳能电池
2021/10/21
美国斯坦福大学教授Hemamala Karunadasa领导的团队在《科学》杂志中发表文章,介绍了一种更简单快捷的复杂材料自动组装方法。他们用钙钛矿培育了二维层,并在大晶体中与其他薄层材料交叉和自组装。
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展(图)
半导体材料 石墨烯 氮化物
2021/8/2
中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学、北京石墨烯研究院、北卡大学的科研团队合作,实现了石墨烯玻璃晶圆氮化物“异构外延”突破,证实了氮化物外延摆脱衬底限制的可能性,为不同半导体材料之间的异构集成提供了新思路。
中国科学院半导体研究所等在面向后摩尔时代的半导体材料“异构外延”研究中获进展(图)
石墨烯 氮化物 单晶 薄膜
2021/8/2
近期,中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学、北京石墨烯研究院、北卡大学的科研团队合作,实现了石墨烯玻璃晶圆氮化物“异构外延”突破,证实了氮化物外延摆脱衬底限制的可能性,为不同半导体材料之间的异构集成提供了新思路。研究人员提出一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),首次在玻璃衬底上成功外延出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备出蓝光发光二极管(LED)...
近日,我校理学院谭佐军教授带领的“光电系统与信息处理”团队和中国科学院武汉物理与数学研究所研究员张嵩研团队合作,在钙钛矿半导体材料缺陷钝化及太阳能电池性能提升方面取得新进展。相关研究成果以“In situ defect passivation with silica oligomer forenhanced performance and stability of perovskite solar...
中国科学院半导体材料科学重点实验室2016年度批准开放课题。
科学家制备超薄半导体材料
科学家 制备 超薄 半导体材料
2019/4/15
南京工业大学教授王琳课题组制备的超薄高质量二维碘化铅晶体,实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控。日前这一成果发表在《先进材料》上。
近日,包括特聘教授陈宇林、助理教授柳仲楷、薛加民、李刚课题组在内的我校物质学院科研团队,与北京大学彭海琳课题组紧密合作,在新型超高迁移率层状氧化物半导体材料Bi2O2Se的电子结构研究中取得重要进展。9月14日,相关工作以“Electronic Structures and Unusually Robust Bandgap in an Ultrahigh Mobility Layered Oxid...
上海科技大学物质科学与技术学院系统材料学研究部米启兮课题组针对一种化学式为CsSnBr3(溴化锡铯)的新型半导体材料进行了深入研究。与同类材料相比,更有利的晶体结构和能带结构使CsSnBr3在光照下产生自由载流子,对温湿度的稳定性也有显著提升,展现出在太阳电池和光探测器方面的良好应用前景。近日,该成果以“All-Inorganic Perovskite CsSnBr3as a Thermally ...
福建物构所卤化铅杂化半导体材料研究获进展(图)
卤化铅杂化半导体材料
2016/2/29
卤化铅钙钛矿无机-有机杂化材料在光电子器件、太阳能电池、催化、离子交换和快离子导体等方面具有重要应用价值,作为新型光伏材料备受科学家关注,其光电转换效率已迅速刷新到20%,并有望达到晶体硅电池25%的水平。这类材料的半导体性能主要来源于杂化材料中的无机骨架部分,目前研究主要集中在三维钙钛矿无机结构和二维层状无机结构上。寻找具有新型卤化铅结构的杂化材料或可成为解决当前这类材料稳定性不好和导电性能差的...
裴坚课题组在有机功能半导体材料的合成及其应用中取得进展(图)
裴坚课题组 有机功能半导体材料 合成 应用进展
2011/6/15
近日,北京大学化学与分子工程学院裴坚课题组与华南理工曹镛院士合作结合本身在有机半导体材料领域内的工作基础,开发了一系列基于有机功能材料的微纳米功能结构,并对如何调控有机半导体分子在微纳米尺寸上的生长和性质进行了系统研究,最终将其应用于构建新型高效率有机半导体微纳米器件及微纳米体相杂化器件。
纳米纤维相强化Cu-Ag系导体材料的研制与开发
导体材料 纳米纤维 开发研制
2008/11/11
该课题组已对国内外有关先进导体材料研究动态与趋势进行了比较充分的注意,尤其对国际上Ag微复合纤维强化Cu基合金的研究进行了比较充分的调研。在此基础上,已对该项目开展了实验室阶段的研究与开发工作,目前已优化了合金成分,探讨出了关键的形变强化工艺及成型技术,使试验材料主要性能中的抗拉强度达到 750~1100MPa,相对导电率达到60~80%IACS,已有条件进行中试研究。该合金适用于强磁场中的导电...
采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度、裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性, 分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为. 结果表明: 在压痕载荷的作用下, Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主, 而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形. [100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹...
IBM开发新型半导体材料 闪存速度将提高500倍
IBM 新型半导体材料 材料
2006/12/13
中新浙江网2006年12月12日电 IBM和两家合作伙伴的科学家已经开发出一种新型材料,他们认为这将催生新型的内存芯片,满足日益增长的存储数字音乐、图像、视频的需求。