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搜索结果: 1-15 共查到材料科学 氮化物相关记录20条 . 查询时间(0.064 秒)
超导体(S)和铁磁体(F)之间的界面是凝聚态物理研究的热点。二者界面耦合产生了较多有趣的物理现象。S/F界面的磁近邻效应是由界面两侧的电子自旋之间的交换相互作用,导致抑制磁序或出现非传统超导电性。当磁性材料靠近超导体时,磁场进入超导体内仅几纳米的区域并破坏库珀对,致使界面的超导行为发生空间变化,影响两侧材料的宏观物理特性。当前,超导自旋电子学已成为新兴领域,对实现无耗散自旋逻辑和存储技术具有重要作...
中国科学院金属研究所专利:一种刻蚀基板法外延定向生长氮化物纳米片网络的方法
本发明公开一种光电极及其制备方法。金属性氮化物基底作为电流收集体,非全氧化物半导体光活性层与其紧密接触,半导体表面无或者有以助催化剂修饰,组成光电化学光电极。首先,制备导电的金属性氮化物基底。其薄膜方块电阻可低到1.8Ω/sq,电阻率0.16mΩ/cm,优于商品化FTO和ITO。其次,沉积或涂覆半导体或者含半导体金属组分的前驱体,于惰性气氛或者半导体非金属组分的氢化物气氛下高温处理。金属性氮化物基...
本发明提供了一种新型氮化物强化马氏体耐热钢,其特征在于:所述马氏体耐热钢的主要合金成分(重量百分比)为Mn:0.8~1.5%;Cr:8.0~10.0%;W:≤1.5%;Mo:≤1.5%;且W+Mo:1.5~2.0%;Nb:≤0.06%;Ta:≤0.15%;且Nb+Ta:0.05~0.15%;V:0.1~0.3%;N:0.03~0.05%;Fe:余量;其通过增加Mn元素含量,在几乎不降低材料AC1相...
中国科学院金属研究所专利:一种获得多尺度氮化物强化马氏体耐热钢的工艺
中国科学院金属研究所专利:一种氮化物强化ODS钢及其制备方法
近日,中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展,揭示了氮化物范德华外延的物理本质,提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则,同时,提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。
为了获得高性能高熵合金氮化物薄膜,迫切需要一种可提供高密度等离子体环境并进而控制薄膜生长过程的合成技术。近期,中国科学院力学研究所在这方面取得重要进展。
近期中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范、中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作,提出了一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),国际上首次在玻璃衬底上成功“异构外延”出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备蓝光发光二极管(LED)。
以“纳米能源和压电(光)电子学发展前沿研讨”为主题的第538次香山科学会议2015年9月16日至17日在北京举行。中科院北京纳米能源所王中林院士、浙江大学张泽院士、西安电子科技大学副校长郝跃院士、北京科技大学张跃教授担任会议执行主席。郝跃院士作了“极性氮化物材料与电子器件研究新进展”的中心议题报告。
日益凸显的能源安全与气候变化问题引发了人们对可再生能源的不懈追求, 从而带来储能电池的革命性发展. 高性能储能电池应该具有高能量密度、高功率密度、高安全性能、长使用寿命等诸多特征, 这就要求人们研究开发新型电极材料. 近年来, 纳米材料以其独特的表面效应、小尺寸效应以及量子尺寸效应从而产生强大电荷储存能力引起人们的广泛关注. 本文综述了近年来本课题组在过渡金属氮化物纳米复合材料用于储能领域的研究进...
以“高效氮化物半导体白光照明材料及芯片基础问题”为主题的第360次香山科学会议2009年11月19-20日在北京举行。北京大学甘子钊教授、清华大学周炳琨教授、山东大学蒋民华教授、中科院半导体研究所王占国研究员、南京大学郑有炓教授担任会议执行主席。
由80%~90%板状刚玉及20%~10%金属铝组成的坯料经氮化处理(温度1100℃)后,再进行表面氧化处理(温度800℃),可制得显气孔率为2%的Al-AlN-Al2O3滑板材料,其1400℃高温抗折强度高达48.7 MPa. 该滑板材料浇钢的使用寿命是Al2O3-C滑板的2倍. 显微结构分析表明,部分金属铝氮化形成AlN的体积膨胀效应及其对刚玉晶粒的结合作用,提高了材料的结构致密度和强度,赋予材...
以环硼氮烷和全氢聚硅氮烷组成的混杂先驱体为原料,采用先驱体浸渍-裂解工艺制备了空心石英纤维增强氮化硼-氮化硅混杂基体的复合材料,研究了裂解温度对复合材料的致密化、力学性能、介电性能和断口显微形貌的影响。结果表明,当裂解温度从300℃提高到500℃时,复合材料的密度逐渐增大,材料的弹性模量随之提高,而其弯曲强度先增后减。当裂解温度为400℃时,复合材料表现出最高抗弯强度(132.4MPa),这源于较...
该发明专利是一类氮化物颗粒/非晶态合金基体的复合材料。其氮化物颗粒与基体非晶态合金的比例(体积百分比)为:A_xB_y。其中x=5-30,y=70-95,x+y=100。A为AlN、Si_3N_4、TiN、ZrN、TaN陶瓷颗粒中的任一种;B为构成基体材料的多元非晶态合金,氮化物颗粒的尺寸为10纳米(nm)至100微米(μm)。该基体非晶态合金的特征为:在晶化转变发生之前出现明显玻璃转变,过冷液态...

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